[发明专利]存储器结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体组件结构，且特别是涉及一种存储器结构。

背景技术

存储器为用以存储信息或数据的半导体组件，广泛地应用于个人计算机、移动电话、网络等方面，已成为生活中不可或缺的重要电子产品。由于计算机微处理器的功能越来越强，软件所进行的程序与运算也随之增加，且各种数据存储量也日趋增加，因此存储器的容量需求也就越来越高。

在目前存储器组件不断微小化的趋势下，业界积极地在有限的空间中提升存储器组件的积集度，也因而使得存储器组件的结构与制作工艺日趋复杂。因此，在存储器组件的制作过程中，常需要使用许多光掩模来完成存储器组件的制作，进而造成制造成本大幅地提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器结构，其结构简单且制作工艺的复杂度低，进而可有效地降低制造成本。

本发明提出一种存储器结构，包括基底、选择栅极结构、第一重掺杂区、第二重掺杂区及浮置接触窗。选择栅极结构设置于基底上。第一重掺杂区与第二重掺杂区分别设置于选择栅极结构一侧与另一侧的基底中。浮置接触窗设置于第一重掺杂区与选择栅极结构之间的基底上，且与基底相互隔离。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，选择栅极结构包括选择栅极及介电层。选择栅极设置于基底上。介电层设置于选择栅极与基底之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，浮置接触窗的顶面例如是高于选择栅极结构的顶面。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，浮置接触窗例如是横越主动区。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，浮置接触窗与基底之间例如是不具有金属硅化物层。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括介电结构。介电结构设置于浮置接触窗与基底之间，可用以隔离浮置接触窗与基底。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，介电结构可为单层结构或多层结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第一轻掺杂区。第一轻掺杂区设置于第一重掺杂区与选择栅极结构之间的基底中。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第二轻掺杂区。第二轻掺杂区设置于第二重掺杂区与选择栅极结构之间的基底中。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第一接触窗。第一接触窗电连接至第一重掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第一内联机结构及第二内联机结构。第一内联机结构电连接于第一接触窗。第二内联机结构电连接于浮置接触窗。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，位于第二内联机结构侧边的第一内联机结构可位于第二内联机结构的一侧、位于第二内联机结构的两侧或环绕第二内联机结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，部分第一内联机结构可位于第二内联机结构的上方。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第二接触窗。第二接触窗电连接至第二重掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述的存储器结构中，存储器结构可用于作为一次可编程的存储器(OTP memory)、多次可编程的存储器(MTP memory)或闪存存储器(flash memory)。

基于上述，由于本发明所提出的存储器结构是使用浮置接触窗来进行电荷的存储，所以存储器结构具有简单的结构，且可通过简易的制作工艺形成，进而可有效地降低制造成本。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明第一实施例的存储器结构的剖视图；

图2为图1中的浮置接触窗与主动区的示意图；

图3为本发明第二实施例的存储器结构的剖视图；

图4为本发明第三实施例的存储器结构的剖视图；

符号说明

100、100a、100b：存储器结构

102：基底

104：选择栅极结构

106、108：重掺杂区

110：浮置接触窗

110a、132a、134a：接触窗开口

112：选择栅极

114：介电层

116：间隙壁

118、120：轻掺杂区

122、122a：介电结构