[发明专利]存储器结构

权利要求书

1.一种存储器结构，包括：

基底；

选择栅极结构，设置于该基底上；

第一重掺杂区与第二重掺杂区，分别设置于该选择栅极结构一侧与另一侧的该基底中；以及

浮置接触窗，设置于该第一重掺杂区与该选择栅极结构之间的该基底上，且与该基底相互隔离。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其中该选择栅极结构包括：

选择栅极，设置于该基底上；以及

介电层，设置于该选择栅极与该基底之间。

3.如权利要求1所述的存储器结构，其中该浮置接触窗的顶面高于该选择栅极结构的顶面。

4.如权利要求1所述的存储器结构，其中该浮置接触窗横越主动区。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其中该浮置接触窗与该基底之间不具有金属硅化物层。

6.如权利要求1所述的存储器结构，还包括介电结构，设置于该浮置接触窗与该基底之间，以隔离该浮置接触窗与该基底。

7.如权利要求6所述的存储器结构，其中该介电结构为单层结构或多层结构。

8.如权利要求1所述的存储器结构，还包括第一轻掺杂区，设置于该第一重掺杂区与该选择栅极结构之间的该基底中。

9.如权利要求1所述的存储器结构，还包括第二轻掺杂区，设置于该第二重掺杂区与该选择栅极结构之间的该基底中。

10.如权利要求1所述的存储器结构，还包括第一接触窗，电连接至该第一重掺杂区。

11.如权利要求10所述的存储器结构，还包括：

第一内联机结构，电连接于该第一接触窗；以及

第二内联机结构，电连接于该浮置接触窗。

12.如权利要求11所述的存储器结构，其中位于该第二内联机结构侧 边的该第一内联机结构位于该第二内联机结构的一侧、位于该第二内联机结构的两侧或环绕该第二内联机结构。

13.如权利要求11所述的存储器结构，其中部分该第一内联机结构位于该第二内联机结构的上方。

14.如权利要求1所述的存储器结构，还包括第二接触窗，电连接至该第二重掺杂区。

15.如权利要求1所述的存储器结构，其用于作为一次可编程的存储器、多次可编程的存储器或闪存存储器。