[发明专利]发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，特别是指一种可使用于高电流密度的发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件。

背景技术

电能为现今不可或缺的能源之一，举凡照明装置、家庭电器、通讯装置、交通传输、或是工业设备等，若缺乏电能将无法运作。而目前全球的能源多半是利用燃烧石油或是煤等，而石油或煤并不是取的不尽的，若不积极的寻找替代能源，等到石油或煤耗尽时，全球将陷入能源危机。为了因应目前的能源危机，除了积极开发各式的再生能源之外，必须节约使用能源，并且有效的使能源，以让能源的使用效率提升。

以照明设备为例，照明设备为人类生活中不可或缺，随着技术的发展，具有更好照度及更省电的照明工具也逐渐应运而生。目前常使用发光二极管作为照明光源。发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)与传统光源比较，发光二极管是具有体积小、省电、发光效率佳、寿命长、操作反应速度快、且无热辐射与水银等有毒物质的污染等优点，因此近几年来，发光二极管的应用面已极为广泛。过去由于发光二极管的亮度还无法取代传统的照明光源，但随着技术领域的不断提升，目前已研发出高照明辉度的发光二极管(高功率LED)，其足以取代传统的照明光源。

现有发光二极管至少包含一基板、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一N型电极及一P型电极。P型半导体层上蚀刻至少一凹槽，凹槽延伸至N型半导体层，使N型电极设置于N型半导体层，当凹槽的面积越小时，可以增加发光二极管的发光面积，但因N型电极与N型半导体层的接触面积太小，此发光二极管于高电流密度使用下，容易产生热聚集的问题。相反地，当凹槽的面积越大时，使发光二极管的发光面积减少，导致发光二极管的发光效率降低。

有鉴于上述问题，本发明提供一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，该发光二极管组件透过控制第一接点(N型电极)接触第一型掺杂层(N型半导体层)的面积于适当范围内，使该发光二极管组件可于高电流密度下使用而不会产生热聚集的问题，并不会减少发光二极管组件的发光面积而影响发光二极管组件的发光效率。

发明内容

本发明的目的，在于提供一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，该发光二极管组件可于高电流密度下使用而不会产生热聚集的问题。

本发明的目的，在于提供一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，该发光二极管组件的电流分布均匀，且其发光面积不会减少，进而不会影响发光二极管组件的发光效率。

本发明的技术方案是：一种发光二极管组件，包含：

一组件基板；

一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；

一发光层，配置于该第一型掺杂层上；

一第二型掺杂层，配置于该发光层上；

复数个第一沟部，其贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面，其中每一第一沟部具有一第一端及一第二端；

一第二沟部，串接该等第一沟部的该第一端，该第二沟部的延伸方向不同于该等第一沟部的延伸方向，该第二沟部贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面；

一绝缘层，配置于部分该第二型掺杂层上并延伸至该等第一沟部及该第二沟部的侧壁；

一第一接点，配置于该等第一沟部及该第二沟部内并与该第一型掺杂层电性连接；及

一第二接点，配置于该第二型掺杂层上且与该第二型掺杂层电性连接；

其中，该第二沟部与该第二型掺杂层与该发光层的边缘之间具有一间距。

本发明中，其中该发光二极管组件更包含:

一反射层，配置于该第二型掺杂层上。

本发明中，其中该反射层的面积范围为该第二型掺杂层面积的百分之50以上。

本发明中，其中该第一沟部及该第二沟部的总面积为该第一型掺杂层面积的百分之5至15。

本发明中，其中该等第一沟部及该第二沟部分别为直线型沟部，并相互垂直。

本发明中，其中该等第一沟部或该第二沟部为曲线型沟部。

本发明中，其中该等第一沟部的至少二者是相互平行。

本发明中，其中该等第一沟部及该第二沟部的二端最短距离范围为0.5LL至LL，其中，LL为该组件基板的较长一侧的边长。

本发明中，其中该等第一沟部及该第二沟部的各别宽度范围为10至100微米。

本发明中，其中该等第一沟部的另一端向该发光二极管组件中心延伸。

本发明中，更包含：