[发明专利]发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件在审
| 申请号： | 201610085871.7 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105742436A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 黄逸儒;吴志凌;罗玉云;苏柏仁 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 组件 覆晶式 封装 | ||
1.一种发光二极管组件，其特征在于，包含：
一组件基板；
一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；
一发光层，配置于该第一型掺杂层上；
一第二型掺杂层，配置于该发光层上；
多个第一沟部，其贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面，其中每一第一沟部具有一第一端及一第二端；
一第二沟部，串接该多个第一沟部的该第一端，该第二沟部的延伸方向不同于该多个第一沟部的延伸方向，该第二沟部贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面；
一绝缘层，配置于部分该第二型掺杂层上并延伸至该多个第一沟部及该第二沟部的侧壁；
一第一接点，配置于该多个第一沟部及该第二沟部内并与该第一型掺杂层电性连接；及
一第二接点，配置于该第二型掺杂层上且与该第二型掺杂层电性连接；
其中，该第二沟部与该第二型掺杂层的边缘之间具有一间距，且该第二沟部与该发光层的边缘之间也具有一间距。
2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该发光二极管组件更包含:
一反射层，配置于该第二型掺杂层上。
3.如权利要求2所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该反射层的面积范围为该第二型掺杂层面积的百分之50以上。
4.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该第一沟部及该第二沟部的总面积为该第一型掺杂层面积的百分之5至15。
5.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该多个第一沟部及该第二沟部分别为直线型沟部，并相互垂直。
6.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该多个第一沟部或该第二沟部为曲线型沟部。
7.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该多个第一沟部的至少二者是相互平行。
8.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该多个第一沟部及该第二沟部的二端最短距离范围为0.5LL至LL，其中，LL为该组件基板的较长一侧的边长。
9.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中每一该第一沟部的宽度范围为10至100微米，该第二沟部的宽度范围为10至100微米。
10.一种覆晶式发光二极管封装组件，其特征在于，包含：
一封装基板；
一发光二极管组件，倒覆于该封装基板而与其电性连接，该发光二极管组件包括:
一组件基板；
一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；
一发光层，配置于该第一型掺杂层上；
一第二型掺杂层，配置于该发光层上；
多个第一沟部，其贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面，其中每一第一沟部具有一第一端及一第二端；
一第二沟部，串接该多个第一沟部的该第一端，该第二沟部的延伸方向不同于该多个第一沟部的延伸方向，该第二沟部贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面；
一绝缘层，配置于部分该第二型掺杂层上并延伸至该多个第一沟部及该第二沟部的侧壁；
一第一接点，配置于该多个第一沟部及该第二沟部内并与该第一型掺杂层电性连接；及
一第二接点，配置于该第二型掺杂层上且与该第二型掺杂层电性连接；
其中该多个第一沟部与该第二沟部连接的一端与该第二型掺杂层的边缘之间具有一间距，且与该发光层的边缘之间也具有一间距。
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