[发明专利]一种类金刚石涂层褪镀工艺在审
申请号: | 201610084380.0 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN105671576A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 李灿民;陶满;杭付立;李亚军;张胜利;张建坡 | 申请(专利权)人: | 合肥永信信息产业股份有限公司 |
主分类号: | C23G5/00 | 分类号: | C23G5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 种类 金刚石 涂层 工艺 | ||
技术领域
本发明属于真空镀膜领域,涉及一种类金刚石涂层工业化应用,具体地说是 一种类金刚石涂层褪镀工艺。
背景技术
类金刚石涂层(DiamondLikeCarbon-DLC)近些年来被真空镀膜界愈发 重视,它具有超低的干摩擦系数、高硬度、耐腐蚀、高电阻率等诸多特性,制 备的方法很多,包括磁控溅射、多弧离子镀、PIID等多种工艺。类金刚石涂层 包括含氢的和不含氢的两种,含氢的一般使用化学气相沉积技术制备,不含氢 的一般采用物理气相沉积技术制备。
在工业化制备类金刚石涂层时,由于各种意外因素的存在,如前处理不当、 人员操作不当、设备故障等因素可能会造成类金刚石涂层掉膜以及其他质量问 题,传统化学药剂的褪镀对类金刚石涂层几乎没有效果,由此造成涂层厂巨大 赔付风险。
类金刚石涂层的去膜方法一般有以下三种:
一、采用金属打底:化学腐蚀金属打底层来实现褪镀。金属打底一般通过 PVD来实现,对于Cr打底的类金刚石涂层,工业上一般采用NaOH+KMnO4的或者 NaOH+H2O2方法实现褪镀。
二、研磨膏机械抛光:对于棒类、平板类工件表面,可以采用机械研磨、 抛光的方法实现去膜。
三、喷砂处理:对于尺寸要求和表面粗糙度要求不严的工件而言,喷砂处 理是最为快捷和有效的方法,喷砂压力0.2MPa左右,采用400目左右白刚玉即 可。
然而,以上三种方法都有局限性,方法一的局限性在于PVD工艺金属打底, 对于PECVD制备的非金属打底类金刚石涂层,化学腐蚀并不凑效,而且化学腐 蚀很容易损伤基材表面;方法二对于不规则的工件难以抛光处理,尤其是凹槽 和深孔部位;方法三对于绝大多数精度和表面粗糙度要求严格的工件而言,显 然不合适。
发明内容
本发明的目的在于提供一种类金刚石涂层褪镀工艺,在不改变工件表面粗糙 度和精度的前提下实现原位褪镀,可以满足类金刚石涂层工业化批量褪镀的要 求。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种类金刚石涂层褪镀工艺,该工艺包括以下步骤:
(1)超声波清洗:将被褪镀件置于超声波槽中,依次经过除油、漂洗、除 蜡、漂洗工序,去除表面的宏观污渍;
(2)烘干:将清洗后的被褪镀件置于烘箱中烘烤;
(3)Ar等离子体轰击:将被褪镀件置于真空镀膜设备中,利用Ar离子辉 光清洗去除表面的微观污渍;
(4)O2等离子体原位褪镀:在Ar离子辉光清洗之后,直接向真空室充入 O2;
(5)超声波二次清洗:将被褪镀件再次置于超声波槽中,使用溢流高纯水 进行清洗。
步骤(1)中所述的除油工序为:在除油槽中加入质量分数为3~5%的碱性溶 液,在温度为50~70℃条件下,清洗2~5分钟;所述的漂洗工序为:使用溢流高 纯水室温下操作漂洗,溢流高纯水电阻率>15MΩ.cm;所述的除蜡工序为:使 用质量分数为3~5%的表面活性剂溶液,在温度为50℃条件下,清洗2~5分钟; 除蜡后漂洗工序和除油后漂洗一致,漂洗后用高压气枪去除表面水渍。
所述的碱性溶液为NaOH溶液;所述的溢流高纯水电阻率>15MΩ.cm;所 述的表面活性剂溶液为Alconox溶液。
步骤(2)中所述的烘箱温度为120℃,烘烤20分钟。
步骤(3)中所述的真空镀膜设备包括真空室、脉冲偏压电源、金属网罩、 被褪镀工件、抽气系统、充气系统;向真空室充入Ar气,保持2Pa左右,在被 褪镀件4表面施加2~4KV负偏压,在金属网罩的作用下,产生高密度的Ar等 离子体,开始对工件表面进行清洗。
步骤(4)中向真空室充入纯度为99.9%的O2,气压保持在2~4Pa,在高偏压 的作用下利用O2等离子体对被褪镀件表面进行烧蚀,褪镀时间一般为0.5~3小 时。
步骤(5)中所述的溢流高纯水电阻率>15MΩ.cm,室温下操作。
本发明的有益效果:
1、不使用化学药剂褪镀,在不改变工件表面粗糙度和精度的前提下实现原 位褪镀,可以满足类金刚石涂层工业化批量褪镀的要求;
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