[发明专利]高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺有效
申请号: | 201610077620.4 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN105720133B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 尤晓江 | 申请(专利权)人: | 武汉华尚绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01B5/14 |
代理公司: | 武汉华旭知识产权事务所42214 | 代理人: | 刘荣,江钊芳 |
地址: | 430000 湖北省武汉市江汉区江*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高导通高 电压 太阳能 光电 玻璃板 制作 工艺 | ||
1.一种高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于包括以下步骤:
(1)通过以下过程制作高导通透明玻璃基电路板:
(a)将导电浆料印刷在玻璃板的空气面;所述导电浆料由质量比为65~75:3:5~10:10~20:1~3的导电粉、低温玻璃粉、乙基纤维素、松油醇以及顺丁烯二酸二丁酯组成,其中导电粉为石墨烯粉或者金属粉与石墨烯粉的混合物;若导电粉为金属粉与石墨烯粉的混合物,则石墨烯粉占导电浆料的质量百分比为2‰~5%;
(b)将覆盖有导电浆料的玻璃板在120~150℃的温度下烘烤100~200秒;
(c)将玻璃板置于550~600℃温度环境中300~360秒,然后置于710~730℃温度环境中维持120~220秒,最后冷却至常温,则此时导电浆料形成导电线路分布于玻璃板的表面且与玻璃板熔融,导电线路成为玻璃板的一部分,得到高导通透明玻璃基电路板;
(2)取两块高导通透明玻璃基电路板,沿两块高导通透明玻璃基电路板的导电线路部分刮涂低温锡膏;
(3)取带电极的太阳能晶片,所述带电极的太阳能晶片的正极和负极分别位于太阳能晶片的正面和反面;将太阳能晶片夹于两块高导通透明玻璃基电路板之间,使太阳能晶片的正极与一块高导通透明玻璃及电路板上的低温锡膏接触,同时太阳能晶片的负极与另一块高导通透明玻璃及电路板上的低温锡膏接触;
(4)使用回流焊技术对导电线路部分加热,使低温锡膏熔化;
(5)将两块高导通透明玻璃基电路板的边缘密封。
2.根据权利要求1所述的高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于:步骤(a)所述的金属粉为金、银和铜中的一种或一种以上混合金属颗粒,颗粒粒度为300目以上。
3.根据权利要求2所述的高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于:步骤(a)所述的混合金属颗粒均为立方体或不规则多面体。
4.根据权利要求1所述的高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于:步骤(a)所述的将导电浆料印刷在玻璃板的空气面,采用打印移印技术、凹凸版印刷技术、丝网印刷技术、热转印技术和点胶式刷图技术中的一种。
5.根据权利要求1所述的高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于:步骤(c)中,对于不同厚度的玻璃板处理时间不同:若玻璃板厚度为5mm,则将玻璃板置于550~600℃温度环境中360秒,然后置于710~730℃温度环境中维持120秒;若玻璃板厚度为6mm,则将玻璃板置于550~600℃温度环境中340秒,然后置于710~730℃温度环境中维持140秒;若玻璃板厚度为8mm,则将玻璃板置于550~600℃温度环境中320秒,然后置于710~730℃温度环境中维持180秒;若玻璃板厚度为10mm,则将玻璃板置于550~600℃温度环境中300秒,然后置于710~730℃温度环境中维持220秒。
6.根据权利要求1所述的高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于:步骤(c)中以30s内降温至常温的速率进行冷却以对玻璃板进行钢化。
7.根据权利要求1所述的高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于:步骤(4)中,采用特殊回流焊机对导电线路部分加热,所述特殊回流焊机吹出的热风仅加热导电线路部分。
8.根据权利要求1所述的高导通高电压太阳能光电玻璃板制作工艺,其特征在于:步骤(5)中,采用密封胶将两块高导通透明玻璃基电路板的边缘密封。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华尚绿能科技股份有限公司,未经武汉华尚绿能科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610077620.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的