[发明专利]一种硅整流二极管在审

专利信息
申请号: 201610075454.4 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN105552111A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 黄仲濬;蒋文甄 申请(专利权)人: 泰州优宾晶圆科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/861;H01L23/31;H01L23/49
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225500 江苏省泰州市姜*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 整流二极管
【说明书】:

技术领域

发明涉及二极管领域,具体涉及一种硅整流二极管

背景技术

膨化机是食品机械中常见的一种机械设备,其作用是将原物膨化到90倍以上,主要以面粉、大米、玉米、高粱米、黄米等为原料,添加各种调料,利用自身发热能将原物膨化成90倍以上的膨化果,现有的膨化机机器多为整体式,结构复杂不易拆卸、修理,且不适用于家用。

发明内容

发明的目的在于提供一种硅整流二极管,以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。

一种硅整流二极管,包括晶粒、引线装置和环氧塑封体,所述引线装置包括上引线装置和下引线装置,所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端,所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接于晶粒上,所述晶粒采用半导体硅制作。

优选的,所述上引线装置和下引线装置均为丁字型结构。

优选的,所述上引线装置和下引线装置均包括连接层、防护层、凸台和引线,所述连接层、防护层和引线层叠设置,所述凸台设于引线前端。

优选的,所述晶粒与连接层连接面的表面积相等。

优选的,所述上引线装置和下引线装置的连接层和防护层直径为1.5mm,所述引线直径为0.5mm。

发明的有益效果:该种硅整流二极管,通过该种结构设计,由于该半导体硅制作的晶粒的PN结较厚,并且外表采用阻介系数较高的环氧模封体封装,使得该二极管在将交变电流转换成直流时可以保证电流的大小和稳定性,且在制作过程中将引线装置和晶粒作了改进后连接在一起,在减少了产品体积和原材料消耗的同时还保证了产品的性能,所述环氧塑封体可以有效保护二极管内的晶粒和引线转置不被氧化,该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合,且体积较小,成本低,值得推广,所述上引线装置和下引线装置均为丁字型结构,可以兼顾该二极管整体体积和防护功能,在保证安全通过最大电流的前提下尽量较少产品体积,所述上引线装置和下引线装置均包括连接层、防护层、凸台和引线,所述连接层、防护层和引线层叠设置,所述凸台设于引线前端,该种结构可以保证二极管可以承受较高的反向电压,防护层可以防止引线加工时污染晶粒,所述晶粒与连接层连接面的表面积相等,可以最大化二极管传输电流效率,所述上引线装置和下引线装置的连接层和防护层直径为1.5mm,所述引线直径为0.5mm,该直径大小大于理论上接受最大电流的最小直径。

附图说明

图1为本发明所述的一种硅整流二极管的结构示意

图2为本发明所述的一种硅整流二极管的上引线装置部分的结构示意

其中:1—晶粒,2—上引线装置,3—下引线装置,4—环氧塑封体,5—连接层,6—防护层,7—凸台,8—引线。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明

如图1图2所示,一种硅整流二极管,包括晶粒1、引线装置和环氧塑封体4,所述引线装置包括上引线装置2和下引线装置3,所述上引线装置2和下引线装置3分别连接晶粒1的上端和下端,所述环氧塑封体4包裹着除上引线装置2和下引线装置3的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置2和下引线装置4均通过焊料焊接于晶粒1上,所述晶粒1采用半导体硅制作。该种硅整流二极管,通过该种结构设计,由于该半导体硅制作的晶粒1的PN结较厚,并且外表采用阻介系数较高的环氧模封体4封装,使得该二极管在将交变电流转换成直流时可以保证电流的大小和稳定性,且在制作过程中将引线装置和晶粒1作了改进后连接在一起,在减少了产品体积和原材料消耗的同时还保证了产品的性能,所述环氧塑封体4可以有效保护二极管内的晶粒1和引线转置不被氧化,该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合,且体积较小,成本低,值得推广。

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