[发明专利]一种硅整流二极管在审
| 申请号： | 201610075454.4 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105552111A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄仲濬;蒋文甄 | 申请（专利权）人： | 泰州优宾晶圆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州市姜*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 整流二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅整流二极管，其特征在于，包括晶粒、引线装置和环氧塑封体，所述引线装置包括上引线装置和下引线装置，所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端，所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分，所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接于晶粒上，所述晶粒采用半导体硅制作。
2.根据权利要求1所述的一种硅整流二极管，其特征在于：所述上引线装置和下引线装置均为丁字型结构。
3.根据权利要求1所述的一种硅整流二极管，其特征在于：所述上引线装置和下引线装置均包括连接层、防护层、凸台和引线，所述连接层、防护层和引线层叠设置，所述凸台设于引线前端。
4.根据权利要求3所述的一种硅整流二极管，其特征在于：所述晶粒与连接层连接面的表面积相等。
5.根据权利要求4所述的一种硅整流二极管，其特征在于：所述上引线装置和下引线装置的连接层和防护层直径为1.5mm，所述引线直径为0.5mm。
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