[发明专利]一种自洁抗菌陶瓷釉及其制备方法

权利要求书

1.一种自洁抗菌陶瓷釉，其特征在于：原料包括以下重量份的组分：水 20～90份、SiO₂ 30～65份、Al₂O₃ 16～28份、CaCO₃ 12～33份、B₂O₃ 1～4份、Na₂SiO₃ 1～9份、ZnO 1～6份、CuO 1～4份、MnO 1～4份、MgH₂ 1～3份、氢氧化锗0.04-5份、氢氧化镓0.08-8份、纳米氧化铟锡0.5-3份、助剂1-10份；所述的助剂为稳定剂或抗氧剂或分散剂。

2.根据权利要求1所述的自洁抗菌陶瓷釉，其特征在于：原料包括以下重量份的组分：水 30～60份、SiO₂ 35～55份、Al₂O₃ 20～22份、CaCO₃ 14～30份、B₂O₃ 1.5～3.5份、Na₂SiO₃ 5～8份、ZnO 3～5份、CuO 2～3份、MnO 1.2～3.8份、MgH₂ 1.5～2.5份、氢氧化锗0.1-4.35份、氢氧化镓0.2-5.65份、纳米氧化铟锡1-2.82份、助剂2-8份；所述的助剂为稳定剂或抗氧剂或分散剂。

3.根据权利要求1或2所述的自洁抗菌陶瓷釉，其特征在于：所述的氢氧化锗由二氢氧化锗和四氢氧化锗组成，二氢氧化锗和四氢氧化锗的质量比为1:1～5。

4.根据权利要求1所述的自洁抗菌陶瓷釉，其特征在于：其中所述稳定剂是KBr，NaBr，黄血盐，赤血盐，硫酸氢钠。

5.根据权利要求1所述的自洁抗菌陶瓷釉，其特征在于：所述抗氧剂是对苯二胺，二甲基对苯二胺，对苯二酚。

6.根据权利要求1所述的自洁抗菌陶瓷釉，其特征在于：所述分散剂是硅烷偶联剂。

7.权利要求1所述的一种自洁抗菌陶瓷釉的制备方法，其特征在于：包括如下方法步骤：

向加入助剂蒸馏水溶液中，依次添加余下组分，常温下，超声分散，充分溶解后，后将其倒入球磨罐中，以80-120rpm转速，球磨3-4h，得混合料；

将混合料在惰性气体保护下，900～1000℃下熔炼1～1.5小时，接着在1300～1500℃下，熔炼1～2小时，然后水淬，得到块状釉料；

将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于坯体表面，干燥至釉浆中的水分小于1%后，分别在1000～1100℃和1200～1250℃下交替烧制2～3次，每次烧制时间为20～30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。

8.根据权利要求7所述的自洁抗菌陶瓷釉的制备方法，其特征在于：所述釉浆的浓度为0.5～1.2g/mL，施敷于坯体表面。

9.根据权利要求7所述的自洁抗菌陶瓷釉的制备方法，其特征在于：所述的干燥是在60～180℃下烘干或自然晾干。