[发明专利]静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种静态随机存取存储器与半导体装置的制造方法,该静态随机存取存储器的制造方法包括提供一基板；于基板上,形成一第一虚拟图案；沿着第一虚拟图案的至少一侧壁,形成一第一间隙壁；移除第一虚拟图案；以及借由移除未被第一间隙壁覆盖的部分上述基板,形成静态随机存取存储器的一第一鳍状物。本发明的优点在于不受光刻工艺的固有限制的局限,而能够缩减结构的尺寸。

本申请是于2010年06月13日提交的申请号为201010206632.5的名称为“静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体装置的系统与方法，尤其涉及静态随机存取存储器(SRAMs)的系统与方法。

背景技术

随着半导体装置(例如静态随机存取存储器)的尺寸缩减至32纳米以下，使用“鳍状物(fin)”所形成的多个沟道区的鳍式场效应晶体管(FinFETs)已经比较标准的平版式晶体管(planar transistor)更为流行。鳍式场效应晶体管可借由鳍状物的上表面与侧壁来提供更大的沟道宽度。借由使用鳍式场效应晶体管的设计，可以抑制或减少今人困扰的短沟道效应，例如临界电极的变动或过大的漏极漏电流，以便得到更有效率的装置。

然而，在鳍式场效应晶体管(FinFETs)的使用上已经遇到了一些问题。传统上用来形成鳍状物与重叠于鳍状物上方的栅极电极的标准光刻技术(1ithographic techniques)已变成不是鳍式场效应晶体管(FinFETs)的主要工艺技术。随着鳍式场效应晶体管的尺寸愈来愈小，光刻工艺所相关的基本限制会局限它在形成鳍状物与栅极电极上的可用性。换言之，而光刻工艺会受到自我的限制，而无法随着所要制造的鳍式场效应晶体管尺寸变小而缩减尺寸。

因此，需要一种新的工艺，以便符合未来鳍式场效应晶体管尺寸进一步缩减的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了使用虚拟层与间隙壁来制造静态随机存取存储单元的布局，用以解决前述的公知问题。

本发明提供一种静态随机存取存储器的制造方法，包括提供一基板；于基板上，形成一第一虚拟图案；沿着第一虚拟图案的至少一侧壁，形成一第一间隙壁；移除第一虚拟图案；以及借由移除未被第一间隙壁覆盖的部分上述基板，形成静态随机存取存储器的一第一鳍状物。

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一鳍状物；于鳍状物上，形成一栅极介电层以及一栅极电极层；于栅极电极层上，形成一第一虚拟图案；沿着第一虚拟图案的多个侧壁，形成多个第一间隙壁；保留第一间隙壁并移除第一虚拟图案；以及使用第一间隙壁作为一光掩模，图案化栅极介电层与栅极电极层。

本发明也提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一基板；图案化上述基板，用以形成多个鳍状物；于鳍状物上，形成一栅极电极层；以及图案化栅极电极层，以形成多个栅极电极。其中上述图案化基板的步骤包括于基板上，形成一第一虚拟图案；沿着第一虚拟图案的多个侧壁，形成多个第一间隙壁；移除第一虚拟图案；以及移除基板露出的部分。上述图案化栅极电极层的步骤包括于栅极电极层上，形成一第二虚拟图案；沿着第二虚拟图案的多个侧壁，形成多个第二间隙壁；移除第二虚拟图案；以及移除基板露出的部分。

本发明的优点在于不受光刻工艺的固有限制的局限，而能够缩减结构的尺寸。

附图说明

本发明能够以实施例伴随所附附图而被理解，所附附图也为实施例的一部分。本领域普通技术人员应能知悉本发明专利保护范围应被宽广地认定以涵括本发明的实施例及其变型，其中：

图1为本发明的存储器装置的一实施例；

图2A至图2I为形成鳍状物的一实施例的步骤流程图。

图3A至图3M为形成半导体装置的一实施例的步骤流程图。