[发明专利]静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：

提供用于鳍式场效应管的连续鳍状物和不连续鳍状物；

于相邻的所述连续鳍状物中的第一连续鳍状物和所述不连续鳍状物中的第一不连续鳍状物上方，形成共用的栅极介电层和栅极电极层；

于所述栅极电极层上方，形成第一虚拟图案；

沿着所述第一虚拟图案的侧壁，形成第一间隙壁；

移除所述第一虚拟图案，同时保留所述第一间隙壁；以及

使用所述第一间隙壁作为掩模，同时图案化与所述第一间隙壁接触的所述栅极电极层、以及与所述栅极电极层接触的所述栅极介电层，以形成SRAM单元的共用栅极结构，其中，所述栅极介电层和所述栅极电极层是所述SRAM单元的一部分，

其中，提供所述连续鳍状物和所述不连续鳍状物还包括：

提供基板；

于所述基板上方，形成第二虚拟图案；

沿着所述第二虚拟图案的侧壁，形成第二间隙壁；

移除所述第二虚拟图案，同时保留所述第二间隙壁；

对保留的所述第二间隙壁的至少一个第二间隙壁进行截除处理；以及

仅仅使用所述基板上方的未进行所述截除处理的所述第二间隙壁和进行所述截除处理后保留的所述第二间隙壁的部分用作掩模，图案化所述基板，以形成所述连续鳍状物和所述不连续鳍状物，

其中，在所述图案化过程中，所述掩模是位于所述基板上方的最顶部的掩模，

其中，与所述第一不连续鳍状物相邻的第二不连续鳍状物具有靠近所述共用栅极结构的端部，所述端部与所述共用栅极结构间隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍状物包括第一长轴，并且所述第一间隙壁的每一个均包括垂直于所述第一长轴的第二长轴。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述栅极电极层，在存储单元内形成四个分离的导电区。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述四个分离的导电区的每一个均与所述存储单元内的至少两个鳍状物重叠。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述栅极电极层，在存储单元内形成五个分离的导电区。

6.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：

提供基板；

图案化所述基板以形成用于鳍式场效应晶体管的多个连续鳍状物和多个不连续鳍状物，所述图案化所述基板还包括：

于所述基板上方，形成第一虚拟图案；

沿着所述第一虚拟图案的侧壁，形成第一间隙壁；

移除所述第一虚拟图案；

对保留的所述第一间隙壁的至少一个第一间隙壁进行截除处理；以及

仅仅使用未进行截除处理的所述第一间隙壁和进行所述截除处理后保留的所述第一间隙壁的部分作为掩模，移除所述基板的暴露部分，以形成所述多个连续鳍状物和所述多个不连续的鳍状物，其中，所述掩模是位于所述基板上方的最顶部的掩模；

于相邻的所述多个连续鳍状物中的第一连续鳍状物和所述多个不连续鳍状物中的第一不连续鳍状物上方，形成共用的栅极介电层和栅极电极层；以及

图案化所述栅极电极层以形成SRAM单元的栅极电极，所述图案化所述栅极电极层还包括：

于所述栅极电极层上方，形成第二虚拟图案；

沿着所述第二虚拟图案的侧壁，形成第二间隙壁；

移除所述第二虚拟图案；以及

同时移除与所述第二间隙壁接触的所述栅极电极层、以及与所述栅极电极层接触的所述栅极介电层的由所述第二间隙壁暴露的部分以形成SRAM单元的共用栅极结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，与所述第一不连续鳍状物相邻的第二不连续鳍状物具有靠近所述共用栅极结构的端部，所述端部与所述共用栅极结构间隔开，

所述图案化所述栅极电极层还包括：

形成与所述多个鳍状物的两个重叠的第一导电区；以及

形成与所述多个鳍状物的单独一个重叠的第二导电区。