[发明专利]一种量子棒、量子棒制作方法和显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种量子棒、量子棒制作方法和显示面板，属于显示 装置制造技术领域。

背景技术

现有技术的液晶显示器件是采用液晶盒、POL、BLU等结构构成， 来自背光源的光经过下偏光片，液晶盒，上偏光片，最终射出。

量子棒材料是一种直径在几个纳米、而长度方向在10～100nm的 一种晶体材料。同量子点类似，量子棒具有同样的光学特性，如：吸 收特性和发光特性，并且其光的波长可通过调整其量子棒的尺寸、类 别来实现光波的控制和调整；量子棒的发光波长是可调的，可覆盖整 个可见光范围。

量子棒的长形形态使得其具有量子点不具备的光学特性，量子棒 最特别的光学特性在于其具有发射偏振光的特性，其可以发射平行于 其长轴、且垂直于其短轴的偏振光。量子棒的这一发光特性使得其可 获得沿着一预定义的轴向排布的量子棒的长轴方向的偏振光。现有的 量子棒驱动电压高不利于节能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何降低量子棒显示面板的驱动电 压。

为实现上述的发明目的，本发明提供了一种量子棒、量子棒制作 方法和显示面板。

一方面，本发明提供一种量子棒，包括核以及壳，所述壳覆盖所 述核；

所述核和/或壳上还覆盖有高导电性材料层。

可选地，所述高导电性材料是导电聚合物材料。

可选地，所述导电聚合物材料是聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙 烯磺酸)PEDOTPSS、聚对苯撑乙烯PPV、聚噻吩、聚硅烷、三苯甲 烷、三芳胺、吡唑啉聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、 聚双炔中的任意一种或多种。

可选地，所述核和/或壳包括CaS、CaSe。

另一方面，本发明还提供一种量子棒制作方法，包括：

在母版上制作纳米晶反应腔；

在纳米晶反应腔内形成覆盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒 的核和覆盖有高导电性材料层的壳。

可选地，所述形成覆盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒的核和 覆盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒的壳的反应温度低于200℃。

可选地，所述纳米晶反应腔内形成覆盖有高导电性材料层的纳米 晶量子棒的核和覆盖有高导电性材料层的壳的步骤

包括：

将导电聚合物材料与离子液体混合，形成导电聚合物溶液；

将量子棒材料与所述导电聚合物溶液混合；

将量子棒材料与所述导电聚合物溶液的混合物搅拌分散，形成覆 盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒的核和覆盖有高导电性材料层 的纳米晶量子棒的壳。

可选地，所述离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-丁基 -3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3- 甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸盐、氯化1- 丁基-3-甲基咪唑盐中的至少一种。

可选地，所述导电聚合物材料与离子液体的混合比大于等于1:9。

可选地，所述量子棒材料与所述导电聚合物溶液混合比固含量小 于等于15％。

可选地，所述分散条件为以2.5m/s的线速度搅拌分散10min。

可选地，所述分散之前还包括预搅拌分散。

可选地，所述预搅拌分散条件如下：

搅拌转速小于等于100rpm，时间10min至30min。

可选地，所述在纳米晶反应腔内形成覆盖有高导电性材料层的纳 米晶量子棒的核和覆盖有高导电性材料层的壳的步骤是真空下进行 的。

再一方面，本发明提供一种量子棒制作方法，包括：

在母版上制作纳米晶反应腔；

在纳米晶反应腔内形成纳米晶量子棒的核和覆盖有高导电性材 料层的壳。

可选地，所述在纳米晶反应腔内形成纳米晶量子棒的覆盖有高导 电性材料层的壳包括：

在反应中对纳米晶量子棒的壳的表面处理的步骤，使所述纳米晶 量子棒的壳覆盖有高导电性材料层。

可选地，所述在纳米晶反应腔内形成纳米晶量子棒的核和覆盖有 高导电性材料层的壳的步骤是真空下进行的。

再一方面，本发明还提供一种显示面板，包括：上基板和下基板， 所述上基板和下基板之间设置有上述的量子棒。