[发明专利]一种量子棒、量子棒制作方法和显示面板

权利要求书

1.一种量子棒，其特征在于，包括核以及壳，所述壳覆盖所述 核；

所述核和/或壳上还覆盖有高导电性材料层。

2.根据权利要求1所述的量子棒，其特征在于，所述高导电性 材料是导电聚合物材料。

3.根据权利要求2所述的量子棒，其特征在于，所述导电聚合 物材料是聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)PEDOTPSS、聚对 苯撑乙烯PPV、聚噻吩、聚硅烷、三苯甲烷、三芳胺、吡唑啉聚乙炔、 聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、聚双炔中的任意一种或多种。

4.根据权利要求1所述的量子棒，其特征在于，所述核和/或壳 包括CaS、CaSe。

5.一种量子棒制作方法，其特征在于，包括：

在母版上制作纳米晶反应腔；

在纳米晶反应腔内形成覆盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒 的核和覆盖有高导电性材料层的壳。

6.根据权利要求5所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 形成覆盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒的核和覆盖有高导电性 材料层的纳米晶量子棒的壳的反应温度低于200℃。

7.根据权利要求5所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 纳米晶反应腔内形成覆盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒的核和 覆盖有高导电性材料层的壳的步骤

包括：

将导电聚合物材料与离子液体混合，形成导电聚合物溶液；

将量子棒材料与所述导电聚合物溶液混合；

将量子棒材料与所述导电聚合物溶液的混合物搅拌分散，形成覆 盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒的核和覆盖有高导电性材料层 的纳米晶量子棒的壳。

8.根据权利要求7所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑六氟 磷酸盐、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸 盐、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸盐、氯化1-丁基-3-甲基咪唑盐 中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 导电聚合物材料与离子液体的混合比大于等于1:9。

10.根据权利要求7所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 量子棒材料与所述导电聚合物溶液混合比固含量小于等于15％。

11.根据权利要求7所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 分散条件为以2.5m/s的线速度搅拌分散10min。

12.根据权利要求7所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 分散之前还包括预搅拌分散。

13.根据权利要求12所述的量子棒制作方法，其特征在于，所 述预搅拌分散条件如下：

搅拌转速小于等于100rpm，时间10min至30min。

14.根据权利要求5所述的量子棒制作方法，其特征在于，所述 在纳米晶反应腔内形成覆盖有高导电性材料层的纳米晶量子棒的核 和覆盖有高导电性材料层的壳的步骤是真空下进行的。

15.一种量子棒制作方法，其特征在于，包括：

在母版上制作纳米晶反应腔；

在纳米晶反应腔内形成纳米晶量子棒的核和覆盖有高导电性材 料层的壳。

16.根据权利要求15所述的量子棒制作方法，其特征在于，所 述在纳米晶反应腔内形成纳米晶量子棒的覆盖有高导电性材料层的 壳包括：

在反应中对纳米晶量子棒的壳的表面处理的步骤，使所述纳米晶 量子棒的壳覆盖有高导电性材料层。

17.根据权利要求15或16所述的量子棒制作方法，其特征在于， 所述在纳米晶反应腔内形成纳米晶量子棒的核和覆盖有高导电性材 料层的壳的步骤是真空下进行的。