[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括存储区、逻辑区、以及位于存储区和逻辑区之间的隔离区，所述隔离区包括与逻辑区相邻接的第一隔离区，所述存储区基底表面形成有存储栅极膜、以及位于存储栅极膜表面的介质层，所述介质层还位于部分隔离区表面且暴露出第一隔离区表面；

形成覆盖所述介质层表面、隔离区表面、以及逻辑区基底表面的逻辑栅极膜；

采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于存储区上方的逻辑栅极膜，保留位于第一隔离区表面以及逻辑区基底表面的逻辑栅极膜，且在第一刻蚀工艺后，位于介质层侧壁表面的逻辑栅极膜为第一栅极侧墙；

去除所述介质层；

在所述存储栅极膜表面、第一栅极侧墙表面、以及暴露出的隔离区表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层还位于第一隔离区的逻辑栅极膜整个顶部和侧壁表面，且所述图形化掩膜层还位于逻辑区的部分逻辑栅极膜顶部表面；

以所述图形化掩膜层为掩膜，采用第二刻蚀工艺刻蚀逻辑区的逻辑栅极膜直至暴露出逻辑区基底表面，形成逻辑栅极结构，且在第二刻蚀工艺后，位于第一隔离区的逻辑栅极膜为支撑栅结构；

采用湿法刻蚀工艺，刻蚀去除所述图形化掩膜层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在平行于存储区指向逻辑区的方向上，位于第一隔离区的逻辑栅极膜顶部的图形化掩膜层宽度与第一隔离区的逻辑栅极膜顶部宽度相同。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在平行于存储区指向逻辑区的方向上，位于第一隔离区的逻辑栅极膜顶部的宽度范围为大于最小特征尺寸。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述图形化掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅或氮化硼中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺的步骤包括：在所述逻辑区、以及第一隔离区的逻辑栅极膜表面形成第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀去除被所述第一图形层暴露的逻辑栅极膜，暴露出部分隔离区表面；去除所述第一图形层。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述存储区基底表面还形成有贯穿所述介质层以及存储栅极膜的字线层。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在去除所述图形化掩膜层之后，还包括步骤：刻蚀去除位于相邻字线层之间的存储栅极膜直至暴露出存储区基底表面，形成存储栅极结构。

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述存储栅极结构的工艺步骤包括：形成覆盖所述逻辑栅极结构表面、逻辑区基底表面、支撑栅结构表面、以及第一栅极侧墙表面的第三图形层；以所述第三图形层为掩膜，刻蚀去除位于相邻字线层之间的存储栅极膜直至暴露出存储区基底表面；去除所述第三图形层。

9.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述图形化掩膜层的工艺步骤包括：形成覆盖所述字线层表面、存储栅极膜表面、第一栅极侧墙表面、暴露出的隔离区表面、第一隔离区的逻辑栅极膜表面、以及逻辑区的逻辑栅极膜表面的初始硬掩膜层；在所述初始硬掩膜层表面形成第二图形层；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀去除位于逻辑区的部分初始硬掩膜层，形成所述图形化掩膜层；去除所述第二图形层。