[发明专利]一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法

权利要求书

1.一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，其特征在于包括以下步 骤：

步骤1、对碳化硅样品进行传统RCA清洗；

步骤2、将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中，进行氢等离 子体处理，具体包括以下子步骤：

(a)将步骤1清洗后的碳化硅样品通过样品台载入石英放电室中；

(b)对放电室抽真空，当真空度低于10^-3Pa时，开始对样品台进行升温处 理，温度控制在100-600℃；

(c)开启电子回旋共振微波等离子体系统中的微波源，功率控制在200-800 W，并向石英放电室通入流量为10-100sccm的氢气产生氢等离子体，然后对 碳化硅样品处理1-120min；

(d)将样品台冷却到室温后，再向装样室充入氮气，并在氮气气氛保护下 从装样室中取出碳化硅样品；

步骤3、通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形，具体包括以下子步骤：

(a)一次烘干，将碳化硅样品置于热烘箱里烘干5-20min，温度控制在 50-100℃；

(b)甩胶，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，使用正胶为 光刻胶，采用旋转法进行涂胶，转速控制在3000-4000rpm，时间控制在30-60 s；

(c)曝光，采用光刻机透过电极掩膜版紫外线曝光5-20s；

(d)二次烘干，将曝光后的碳化硅样品置于热烘箱里烘干10-30min， 温度控制在60-90℃；

(e)显影，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，在显影液中 浸泡10-30s显现出电极图形；

(f)清洗，使用去离子水对碳化硅样品清洗数遍，并用氮气吹干；

(g)坚膜，对碳化硅样品进行坚膜，温度控制在60-90℃，时间控制在 5-20min；

步骤4、采用磁控溅射的方法淀积金属电极材料钛或碳化钛，待坚膜温 度冷却至室温时，取出碳化硅样品，置于基底真空度小于10^-3Pa的磁控溅射仪 中沉积高纯Ti薄膜，厚度控制在100-400nm，时间控制在5-30min；

步骤5、对碳化硅样品采用丙酮在超声清洗器中剥离掉电极以外的金属， 并用氮气吹干；

步骤6、在氮气、氮氢混合气或氩气氛围下对碳化硅样品进行退火处理， 温度控制在200-500℃，时间控制在5-20min。