[发明专利]空气隙槽波导环形谐振腔集成光学陀螺在审
申请号: | 201610064481.1 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105547276A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 孔梅;张荣;陈晨;郭丽君 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | G01C19/72 | 分类号: | G01C19/72;G02B6/122 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空气 波导 环形 谐振腔 集成 光学 陀螺 | ||
技术领域
本发明涉及一种空气隙槽波导环形谐振腔集成光学陀螺,属于光学陀螺技术领域。
背景技术
在集成光学陀螺中,如图1所示,光源1由光纤连接到分束器2的输入端;分束器2的 两个输出端由光纤分别连接到波导条3两端;在衬底4上波导条3与环形谐振腔5靠近,能 够将光从两个方向耦合进环形谐振腔5;每个耦合器6都由光纤与各自的光电探测器7连接, 用来将环形谐振腔5的输出光导入光电探测器7。其中,环形谐振腔5为旋转角速度的敏感 器件,环形谐振腔5的环形波导为实心波导,如图2所示,实心波导的波导材料为非晶态二 氧化硅、磷化铟或者氮化硅等。光源1发出的光由分束器2分为两路,通过波导条3从两个 相反方向注入环形谐振腔5,环形谐振腔5的两个方向的输出光经两个耦合器6分别耦合输 出到两个光电探测器7中。由于Sagnac效应,当所述集成光学陀螺旋转时,环形谐振腔5中 的相向传输的光的谐振频率不同,且谐振频率差正比于集成光学陀螺的旋转角速度,通过测 量谐振频率差即可实现旋转角速度的测量。相比于激光陀螺和光纤陀螺,这种谐振式集成光 学陀螺在体积、重量、成本和功耗上都大幅减小,在约10°/h的较低传感精度水平上具有较 强的竞争力。然而,现有集成光学陀螺由于受制于实心波导环形谐振腔5中的背向散射、偏 振串扰、光学Kerr效应等误差源的影响,其传感精度和稳定性还远未达到实用化的程度。
发明内容
为了降低集成光学陀螺环形谐振腔中的背向散射、偏振串扰、光学Kerr效应等误差源的 影响,提高其传感精度和稳定性,我们发明了一种空气隙槽波导环形谐振腔集成光学陀螺。
在本发明之空气隙槽波导环形谐振腔集成光学陀螺中,光源1由光纤连接到分束器2的 输入端;分束器2的两个输出端由光纤分别连接到波导条3两端;在衬底4上波导条3与环 形谐振腔5靠近;每个耦合器6都由光纤与各自的光电探测器7连接;其特征在于,所述环 形谐振腔5的环形波导为空气隙槽波导8,如图3~5所示,所述波导条3的条形波导为实心 波导或者空气隙槽波导8;所述空气隙槽波导8的槽宽为30~100nm,槽深为150~350nm;所 述空气隙槽波导8的槽区为空气,槽区两侧为高折射率介质。
本发明其技术效果如下所述。相比于现有技术中的非晶态二氧化硅波导材料,空气的Kerr 系数要低三个数量级,并且,空气的散射和折射率温度系数也可以忽略。因此,当环形波导 为本发明之空气隙槽波导8的环形谐振腔5工作在准TE模时,该模式将具有非常低的背向 散射、光学Kerr效应以及作为引起偏振串扰原因之一的热致双折射效应。所述空气隙槽波导 8的高折射率介质与空气的折射率相差大,二者的有效折射率显著不同,准TE模(主电场分 量垂直于硅-空气界面)的光能量主要集中在空气隙中传输,或者说空气隙槽波导8能将大部 分准TE模的光能量限制在空气隙中传输,而准TM模(主电场分量平行于硅-空气界面)仍 遵循全反射原理传输,能量仍集中在高折射率介质中,因此,所述空气隙槽波导8为具有极 高双折射的保偏波导,甚至空气隙中光能量传输近似为单偏振模传输,这样的环形谐振腔5 能够完全避免偏振串扰。
附图说明
图1是现有集成光学陀螺结构示意图。图2是在现有集成光学陀螺中衬底、波导条、环 形谐振腔三者结构关系立体放大示意图。图3是本发明之空气隙槽波导环形谐振腔集成光学 陀螺结构示意图。图4、图5是在本发明之空气隙槽波导环形谐振腔集成光学陀螺中衬底、 波导条、环形谐振腔三者结构关系放大示意图;在图4中,波导条的条形波导为实心波导; 在图5中,波导条的条形波导为空气隙槽波导,图5同时作为摘要附图。
具体实施方式
在本发明之空气隙槽波导环形谐振腔集成光学陀螺中,光源1由光纤连接到分束器2的 输入端。分束器2的两个输出端由光纤分别连接到波导条3两端。在衬底4上波导条3与环 形谐振腔5靠近。每个耦合器6都由光纤与各自的光电探测器7连接。所述环形谐振腔5的 环形波导为空气隙槽波导8,如图3~5所示,所述波导条3的条形波导为实心波导或者空气 隙槽波导8,如图4、图5所示。所述空气隙槽波导8的槽宽为30~100nm,如50nm,槽深为 150~350nm,如300nm。所述空气隙槽波导8的槽区为空气,槽区两侧为高折射率介质,如 硅。
所述空气隙槽波导8制作在SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘体上的硅)上,利用电子束 刻蚀或者光刻方法,在硅层刻划出空气隙槽波导8。
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