[发明专利]像素结构及其制作方法、阵列基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201610064421.X 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105487311A 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 杨海刚;朴正淏;李哲;胡竞勇 申请(专利权)人: 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 400714 重庆市北碚区*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 及其 制作方法 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体涉及一种像素结构及其制作方法、 阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示装置是目前使用最广泛的一种平板显示装置,可为各种 电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机以及计算机等提 供具有高分辨率彩色屏幕。其中FFS(FringeFieldSwitching,边缘场开 关技术)液晶显示装置以其观看视角广以及开口率高等特点受到广大用 户的喜爱。目前普遍采用的FFS液晶显示装置,通常包括彩膜基板、阵 列基板以及设置在彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。其中在阵列基 板上设置有多条数据线、栅线以及由多条数据线栅线交叉限定的多个 像素结构。

如图1所示,传统FFS显示技术的像素结构包括衬底基板3',在衬 底基板3'上设置有薄膜晶体管4'、第一透明电极层1'、第二透明电 极层2'。其中,第一透明电极层1'为面状结构电极,第二透明电极 层2'包括若干个条状电极,第一透明电极层1'与第二透明电极层2' 之间存在重叠区域。具体的排布结构如图2所示。由图1以及图2可以看 出传统的像素结构第一透明电极层1'与第二透明电极层2'的重叠区 域较大,因此第一透明电极层1'与第二透明电极层2'之间形成的存 储电容(Cst)较大。较大的存储电容延长了像素的充电时间,使像素单 元易出现充电不足的现象,导致显示面板亮度下降,严重影响了显示 质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:解决如何降低现有的像素结构中第 一透明电极层以及第二透明电极层之间的存储电容的问题。

为实现上述的发明目的,本发明提供了一种像素结构及其制作方 法、阵列基板及显示装置。

依据本发明的第一方面,提供了一种像素结构:包括衬底基板以 及设置在所述衬底基板上的第一透明电极层和第二透明电极层,所述 第二透明电极层包括多个条状电极,其特征在于,所述第一透明电极 层包括至少一个狭缝,且每一个所述狭缝至少部分位于所述条状电极 在所述衬底基板的投影内。

优选地,每一个所述狭缝全部位于所述条状电极在所述衬底基板 的投影内。

优选地,对于每一个所述狭缝,其宽度与其相对的条状电极的宽 度之比为10%~100%。

优选地,所述第一透明电极层中所述狭缝的数量与所述第二透明 电极层中所述条状电极的数量之比为1:50~1:2。

依据本发明的第二方面,提供了一种阵列基板,包括上述所述的 像素结构。

依据本发明的第三方面,提供了一种显示装置,包括上述所述的 阵列基板。

依据本发明的第四方面,提供了一种像素结构的制作方法,包括:

在衬底基板上形成第一透明电极层和第二透明电极层,其中,所 述第二透明电极层包括多个条状电极,所述第一透明电极层包括至少 一个狭缝,且每一个所述狭缝至少部分位于所述条状电极在所述衬底 基板的投影内。

优选地,每一个所述狭缝全部位于所述条状电极在所述衬底基板 的投影内。

优选地,对于每一个所述狭缝,其宽度与其相对的条状电极的宽 度之比为10%~100%。

优选地,所述第一透明电极层中所述狭缝的数量与所述第二透明 电极层中所述条状电极的数量之比为1:50~1:2。

本发明提供的该像素结构,通过在第一透明电极层上形成狭缝, 并使狭缝至少部分位于条形电极在衬底基板上的投影内,有效减小了 第一透明电极层与第二透明电极层的重叠区域,从而降低了其间形成 的存储电容,提高像素的充电效率以及显示装置的显示质量。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处 对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施 方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用 相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:

图1是现有技术的像素结构截面示意图;

图2是现有技术的像素结构俯视图;

图3是本发明提供的像素结构截面示意图;

图4是本发明提供的一种像素结构俯视图;

图5是本发明提供的另一种像素结构俯视图;

图6是本发明提供的不同狭缝设置比率对应的电压-透过率曲线示 意图;

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