[发明专利]一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法

说明书

本发明公开一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法，包括，将苯甲醛封端的聚（N‑异丙基丙烯酰胺）（PNIPAAm）与氨基修饰的介孔硅分子印迹荧光聚合物混合反应，即得到pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物。本发明利用介孔硅分子印迹聚合物表面的Schiff base基团和PNIPAAm聚合物对pH和温度的刺激响应，起到门阀的作用，从而对目标分子进入介孔硅内部识别位点的条件进行有效控制，可用于分子印迹荧光传感器。

技术领域

本发明涉及一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法及其应用。

背景技术

荧光传感器具有灵敏度高，仪器简单，容易操作等优势；分子印迹聚合物具有选择性高，性能稳定等特点。结合荧光传感器的高灵敏度和分子印迹聚合物的高选择性，分子印迹荧光传感器在过去十几年中得到快速发展。分子印迹荧光传感器的构建主要将荧光物质如量子点包覆于分子印迹聚合物内部，当被测物进入识别位点，猝灭量子点荧光，从而建立定量的分析方法。

刺激响应聚合物，具有响应外部刺激的能力，如对温度、pH、光等的改变进行响应。刺激响应聚合物较少应用于荧光分子印迹传感器的构建中。仅有少数报道将温度响应功能单体或pH响应功能单体用于分子印迹聚合物的制备，通过识别位点的收缩释放和识别目标物，进行响应。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供了一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法，包括，

将苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）与氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物混合反应，即得到pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物。

进一步，在碱性条件下，由N-羟基琥珀酰亚胺酯封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）与对羟基苯甲醛反应得到所述的苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）。

进一步，所述氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物附着在载体表面。

更进一步，氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物的制备过程包括：

（I）向载体分散液中加入十六烷基三甲基溴化铵、正硅酸乙酯、3-氨丙基三乙氧基硅烷、荧光量子点和模板分子，在碱性条件下反应1-30小时后，分离，在载体表面上得到介孔硅层；

（II）将经过步骤（I）处理的载体分散于介质中，加入氨水和3-氨丙基三乙氧基硅烷，反应1-30小时后，分离，洗脱，即得到氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物。

进一步，所述荧光量子点为CdTe量子点。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是介孔硅分子印迹聚合物修饰苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）前后的电镜图；

图2是介孔硅分子印迹聚合物修饰苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）前后的pH响应曲线。

图3是介孔硅分子印迹聚合物修饰苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）前后的温度响应曲线。

图4为本发明pH和温度双重刺激分子印迹聚合物的制备流程图。

图5为介孔硅分子印迹聚合物修饰苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）的路线图。

图6为介孔硅分子印迹聚合物对pH和温度双重刺激响应的原理示意图。

具体实施方式