[发明专利]一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法有效
| 申请号： | 201610063579.5 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105601938B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 徐守芳;陆宏志 | 申请（专利权）人： | 临沂大学 |
| 主分类号： | C08G81/02 | 分类号： | C08G81/02;C08G77/26;C08F8/00;C08F120/54 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 陆菊华 |
| 地址： | 273306 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ph 温度 双重 刺激 响应 分子 印迹 聚合物 制备 方法 | ||
1.一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法，包括，
将苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）与氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物混合反应，即得到pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在碱性条件下，由N-羟基琥珀酰亚胺酯封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）与对羟基苯甲醛反应得到所述的苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物附着在载体表面。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述载体为纳米二氧化硅。
5.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物的制备过程包括：
（I）向载体分散液中加入十六烷基三甲基溴化铵、正硅酸乙酯、3-氨丙基三乙氧基硅烷、荧光量子点和模板分子，在碱性条件下反应1-30小时后，分离，在载体表面上得到介孔硅层；
（II）将经过步骤（I）处理的载体分散于介质中，加入氨水和3-氨丙基三乙氧基硅烷，反应1-30小时后，分离，洗脱，即得到氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述荧光量子点为CdTe量子点。
7.权利要求1-6任一所述方法制备的pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物。
8.权利要求7所述分子印迹聚合物用于制备分子印迹荧光传感器。
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