[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一导电图形；

在形成有所述第一导电图形的基板上形成包括有过孔的绝缘层，所述过孔处暴露出至少部分所述第一导电图形；

将形成有所述绝缘层的基板沉浸在金属盐溶液中；

向所述第一导电图形输入电信号，使得过孔处的金属盐溶液在接触到所述第一导电图形后，金属盐溶液中的金属离子被还原而沉积在所述过孔处形成导电连接部；

所述阵列基板上形成有与所述第一导电图形连接的信号输入端，所述向所述第一导电图形输入电信号包括：

向所述信号输入端输入电信号。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述向所述信号输入端输入电信号包括：

将供电结构的探针与所述信号输入端连接，向所述信号输入端输入电流，其中，所述探针未与所述信号输入端接触的部分包裹有隔离层，所述隔离层用于隔绝所述探针与所述金属盐溶液的接触。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，向所述信号输入端输入电流包括：

向所述信号输入端输入大小可调节的电流，进而控制所述过孔处金属离子的沉积速率。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述导电连接部之后，所述方法还包括：

在所述绝缘层上形成第二导电图形，所述第二导电图形与过孔处的所述导电连接部连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板上形成有多个薄膜晶体管，所述第一导电图形为薄膜晶体管的漏极，所述第二导电图形为像素电极。

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形为公共电极线，所述第二导电图形为公共电极。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属盐溶液包括银离子溶液。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述银离子溶液为银氨溶液或银离子的螯合物溶液。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述银离子溶液中，银离子的浓度为0.05mol/L～1mol/L。

10.一种阵列基板，其特征在于，为采用权利要求1-9中任一项所述的制作方法制作得到，所述阵列基板上形成有包括有过孔的绝缘层，所述过孔处形成有与第一导电图形连接的导电连接部。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板。