[发明专利]一种用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺在审
| 申请号： | 201610054714.X | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105679654A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 胡思平;朱继锋 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 混合式 工艺 预处理 | ||
1.一种用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在于，包括步骤：
提供待键合晶圆，在所述待键合晶圆的表面形成阻挡层；
在所述阻挡层表面形成平坦层薄膜；
对所述平坦层薄膜进行平坦化处理，使所述待键合晶圆表面平坦；
采用键合工艺对所述待键合晶圆进行键合。
2.如权利要求1所述的用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在 于，所述阻挡层为氮化硅。
3.如权利要求1所述的用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在 于，所述平坦层薄膜为氧化硅。
4.如权利要求1所述的用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在 于，所述待键合晶圆包括衬底、层间介质层及多个器件结构，所述层间介质层 形成在所述衬底表面，所述器件结构形成在所述层间介质层内。
5.如权利要求4所述的用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在 于，形成第一连接线，所述第一连接线贯穿过所述平坦层薄膜、阻挡层及层间 介质层连接所述器件结构。
6.如权利要求5所述的用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在 于，形成第二连接线，所述第二连接线贯穿过所述平坦层薄膜及阻挡层连接所 述第一连接线。
7.如权利要求6所述的用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在 于，所述第一连接线和第二连接线为铜或铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
