[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有核心区和边缘区的半导体衬底，半导体衬底上由下到上有栅氧层、多晶硅层和第一掩膜层；在第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽位于核心区，第二沟槽位于边缘区；在第一沟槽和第二沟槽内填充满绝缘层；形成覆盖第一掩膜层和绝缘层的第二掩膜层后，进行退火处理；去除退火处理后的核心区的第二掩膜层后，以边缘区的第二掩膜层为掩膜刻蚀去除核心区的第一掩膜层。所述方法在不增加工艺步骤的情况下，避免了在刻蚀去除核心区的第一掩膜层的过程中将边缘区的第二掩膜层消耗完继而对边缘区的第一掩膜层进行刻蚀，同时使得绝缘层中应力得以释放。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

快闪存储器(Flash Memory)又称为闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。闪存作为一种主要的非易挥发性存储器，已经广泛用于U盘驱动器、MP3播放器、数码相机、个人数字助理、移动电话和手提电脑等各种便携式电子产品。

通常，闪存的整个器件包括核心区和边缘区，所述核心区用于形成闪存的基本单元，所述边缘区域用于形成闪存的外围逻辑电路。闪存的制作前段工艺，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有核心区和边缘区，所述半导体衬底上由下到上形成有栅氧层、多晶硅层和第一掩膜层；形成贯穿所述第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和部分厚度的半导体衬底的沟槽，所述沟槽包括位于核心区的第一沟槽和位于边缘区的第二沟槽；形成填充满所述沟槽的绝缘层后，对所述绝缘层进行退火处理，然后形成覆盖所述第一掩膜层和所述绝缘层的第二掩膜层；去除位于核心区的第二掩膜层后，以位于所述边缘区的第二掩膜层为掩膜刻蚀去除位于所述核心区的第一掩膜层。

然而，现有技术中，在不增加工艺步骤的情况下，难以同时做到：(1)刻蚀去除位于所述核心区的第一掩膜层的过程中，避免将位于边缘区第二掩膜层消耗完继而避免对位于边缘区的第一掩膜层进行刻蚀；(2)释放绝缘层中的应力。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件的形成方法，在不增加工艺步骤的情况下，避免在刻蚀去除核心区的第一掩膜层的过程中将边缘区的第二掩膜层消耗完继而对边缘区的第一掩膜层进行刻蚀，同时使得绝缘层中应力得以释放。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有核心区和边缘区，所述半导体衬底上由下到上形成有栅氧层、多晶硅层和第一掩膜层；在核心区的所述第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第一沟槽，在边缘区的所述第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽内填充满绝缘层；形成覆盖所述第一掩膜层和所述绝缘层的第二掩膜层后，进行退火处理；去除退火处理后的位于核心区的第二掩膜层后，以位于所述边缘区的第二掩膜层为掩膜刻蚀去除位于所述核心区的第一掩膜层。

可选的，所述退火处理的参数为：采用的气体为N₂或Ar，退火温度为900摄氏度～1200摄氏度，时间为5秒～120秒。

可选的，所述第二掩膜层的材料为氧化硅。

可选的，形成所述第二掩膜层的工艺为低压化学气相沉积工艺、亚常压化学气相沉积工艺或者等离子体化学气相沉积工艺。

可选的，所述第一掩膜层的材料为氮化硅。

可选的，刻蚀去除位于所述核心区的第一掩膜层的工艺为湿法刻蚀工艺。

可选的，所述湿法刻蚀工艺的参数为：采用的刻蚀溶液为磷酸溶液，磷酸的体积百分比浓度为60％～95％，刻蚀温度为100摄氏度～200摄氏度。

可选的，去除退火处理后的位于核心区的第二掩膜层的工艺为各向异性干法刻蚀工艺。