[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201610052794.5 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105655297B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张永福;李冰寒;江红;王哲献;高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜层 边缘区 核心区 绝缘层 衬底 刻蚀 去除 半导体 半导体器件 多晶硅层 退火处理 栅氧层 工艺步骤 掩膜 释放 消耗 覆盖 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有核心区和边缘区，所述半导体衬底上由下到上形成有栅氧层、多晶硅层和第一掩膜层；
在核心区的所述第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第一沟槽，在边缘区的所述第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第二沟槽；
在所述第一沟槽和第二沟槽内填充满绝缘层；
形成覆盖所述第一掩膜层和所述绝缘层的第二掩膜层后，统一进行一次退火处理，且在形成所述绝缘层之后且在形成所述第二掩膜层之前不进行退火；
去除退火处理后的位于核心区的第二掩膜层后，以位于所述边缘区的第二掩膜层为掩膜刻蚀去除位于所述核心区的第一掩膜层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火处理的参数为：采用的气体为N2或Ar，退火温度为900摄氏度～1200摄氏度，时间为5秒～120秒。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料为氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层的工艺为低压化学气相沉积工艺、亚常压化学气相沉积工艺或者等离子体化学气相沉积工艺。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除位于所述核心区的第一掩膜层的工艺为湿法刻蚀工艺。
7.根据权利要求6述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的参数为：采用的刻蚀溶液为磷酸溶液，磷酸的体积百分比浓度为60％～95％，刻蚀温度为100摄氏度～200摄氏度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除退火处理后的位于核心区的第二掩膜层的工艺为各向异性干法刻蚀工艺。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅氧层的材料为氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
