[发明专利]一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计在审

专利信息
申请号: 201610051496.4 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105487026A 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 张日;郭强;路翎;屈成忠;唐晓成;张逢春;李晶;张桐 申请(专利权)人: 东北电力大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 吉林市达利专利事务所 22102 代理人: 陈传林
地址: 132012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 磁阻 效应 芯片 磁场强度
【说明书】:

技术领域

发明涉及磁传感器领域,是一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计。

背景技术

磁场是一种物质场,其产生的根本原因是电子的自旋。通过探测磁场而分析物体的性质在很多领域都有应用。军事上通过探测铁磁材料的磁场梯度信息进行目标定位和探测;医疗上探测心脏和大脑发出的微弱磁场而分析其健康状况;工程上也通过探测机械构件的磁场空间特征而分析其工作状态等等。因此,设计高精度、高灵敏度、反应迅速的磁强计来探测磁场的大小是非常重要的。

磁场是一种空间的无源性场。具有旋度和散度为零的数学性质,为了分析产生磁场的磁性目标的形状、尺寸、运动规律等重要参数,需要探测在空间内探测磁场相互垂直的三维值。就是磁场沿着相互正交的(x,y,z)三个方向的磁场值。目前能够广泛应用的磁通门计和光泵磁力计测量的是单点的标量磁场值,无法指定方向。应用最广泛的超导量子干涉仪测量磁场时,需要工作在低温、无干扰的严格条件下。难以大范围广泛应用。因此,开发一种适合民用的、价格低廉的三轴磁强计具有重要的应用价值和广泛的应用空间。

发明内容

本发明的目的是提供一种结构简单,稳定性好,反应迅速,造价低廉,能够较好的实现磁场中某点的三方向磁场值测量的基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计。

实现本发明目的采用的技术方案是,一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计,其特征是,它包括:电源端口电路、稳压模块电路、升压模块电路、激励产生电路、巨磁阻芯片模块电路、单片机最小系统电路,所述的电源端口电路与稳压模块电路电连接,所述的稳压模块电路分别与升压模块电路、巨磁阻芯片模块电路电连接,所述的升压模块电路与激励产生电路电连接,所述的激励产生电路分别与巨磁阻芯片模块电路、单片机最小系统电路电连接,所述的巨磁阻芯片模块电路与单片机最小系统电路电连接。

所述电源端口电路的输入端连接外部5V电压,其输出端正极与地之间串联二极管D1和电容C4。

所述稳压模块电路采用AMS1117CS-5.0芯片。

所述升压模块采用B0512S芯片。

所述励产生电路的模块采用BTN7971芯片,BTN7971芯片的8号引脚通过保护电容C7与巨磁阻芯片模块电路的相互垂直双磁敏感轴HMC1002芯片的16号引脚连接,BTN7971芯片的7号引脚与升压模块电路4的B0512S芯片4号引脚连接,BTN7971芯片的3号引脚与稳压模块电路2的AMS1117CS-5.0芯片7号引脚连接,BTN7971芯片的2号引脚通过分压电阻R6与单片机最小系统电路3的STC51单片机的8号引脚连接,BTN7971芯片的1号引脚接地;BTN7971芯片的2号引脚接输入信号。

所述巨磁阻芯片模块电路包括具有相互垂直的双磁敏感轴芯片HMC1002和单磁敏感轴芯片HMC1001,相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的2、5、9、12号引脚分别与单片机最小系统电路的STC51单片机21、22、23、24号引脚连接,相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的2号引脚和5号引脚为磁敏感轴A的输出正负极,相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的9号和12号引脚为磁敏感轴B的输出正负极,相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的4号引脚和11号引脚为供电引脚;相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的7号引脚与单磁敏感轴芯片HMC1001的1号引脚连接,单磁敏感轴芯片HMC1001的5、8号引脚分别与单片机最小系统电路的STC51单片机26、25号引脚连接。

所述单片机最小系统电路采用STC51单片机,STC51单片机的18和19号引脚分别与晶振Y1的一端连接,并通过电容C1和电容C2接地,STC51单片机的9号引脚连接的电解电容C3与复位按钮S1并联,STC51单片机的9号引脚连接分压电阻R1与地连接,STC51单片机的31号引脚和40号引脚接5V电源,20号引脚GND接地。

本发明的优点在于:

1.采用的是巨磁阻芯片,芯片的电阻会随着外界磁场的变化而灵敏变化,设计的激励信号保证了芯片处于高灵敏状态。成本低廉、稳定性好、响应迅速;

2.能够测量某点的相互垂直的三个方向的磁场值,对分析磁场空间特征有良好帮助;

3.使用了单片机,能够将磁场大小计算并显示在显示器的显示屏上。便于操作人员时刻观测磁场的变化。

附图说明

图1是一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计电路框图;

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