[发明专利]一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计

权利要求书

1.一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特征是，它包括电源端口电路、稳压模块电路、升压模块电路、激励产生电路、巨磁阻芯片模块电路、单片机最小系统电路，所述的电源端口电路与稳压模块电路电连接，所述的稳压模块电路分别与升压模块电路、巨磁阻芯片模块电路电连接，所述的升压模块电路与激励产生电路电连接，所述的激励产生电路分别与巨磁阻芯片模块电路、单片机最小系统电路电连接，所述的巨磁阻芯片模块电路与单片机最小系统电路电连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特征是，所述电源端口电路的输入端连接外部5V电压，其输出端正极与地之间串联二极管D1和电容C4。

3.根据权利要求1所述的一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特征是，所述稳压模块电路采用AMS1117CS-5.0芯片。

4.根据权利要求1所述的一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特征是，所述升压模块采用B0512S芯片。

5.根据权利要求1所述的一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特征是，所述励产生电路的模块采用BTN7971芯片，BTN7971芯片的8号引脚通过保护电容C7与巨磁阻芯片模块电路的相互垂直双磁敏感轴HMC1002芯片的16号引脚连接，BTN7971芯片的7号引脚与升压模块电路4的B0512S芯片4号引脚连接，BTN7971芯片的3号引脚与稳压模块电路2的AMS1117CS-5.0芯片7号引脚连接，BTN7971芯片的2号引脚通过分压电阻R6与单片机最小系统电路3的STC51单片机的8号引脚连接，BTN7971芯片的1号引脚接地；BTN7971芯片的2号引脚接输入信号。

6.根据权利要求1所述的一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特征是，所述巨磁阻芯片模块电路包括具有相互垂直的双磁敏感轴芯片HMC1002和单磁敏感轴芯片HMC1001，相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的2、5、9、12号引脚分别与单片机最小系统电路的STC51单片机21、22、23、24号引脚连接，相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的2号引脚和5号引脚为磁敏感轴A的输出正负极，相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的9号和12号引脚为磁敏感轴B的输出正负极，相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的4号引脚和11号引脚为供电引脚；相互垂直双磁敏感轴芯片HMC1002的7号引脚与单磁敏感轴芯片HMC1001的1号引脚连接，单磁敏感轴芯片HMC1001的5、8号引脚分别与单片机最小系统电路的STC51单片机26、25号引脚连接。

7.根据权利要求1所述的一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特征是，所述单片机最小系统电路采用STC51单片机，STC51单片机的18和19号引脚分别与晶振Y1的一端连接，并通过电容C1和电容C2接地，STC51单片机的9号引脚连接的电解电容C3与复位按钮S1并联，STC51单片机的9号引脚连接分压电阻R1与地连接，STC51单片机的31号引脚和40号引脚接5V电源，20号引脚GND接地。