[发明专利]精密测长机的校准片构造及其制作方法在审
| 申请号: | 201610051129.4 | 申请日: | 2016-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN105549233A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
| 发明(设计)人: | 杨二 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 精密 长机 校准 构造 及其 制作方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及一种精密测长机的校准片构造及其制造方法,特别是涉及一 种具有透明保护层的精密测长机的校准片构造及其制作方法。
【背景技术】
精密测长机是薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,ThinFilmTransistor LiquidCrystalDisplay)的制程中重要的光学量测机台,其主要用于测量制作玻 璃基板第一层像素图案时曝光机曝光精度的长寸(TotalPitch)量测,其量测结 果直接决定了后续图像制程的曝光对位,以及最终对组贴合的精度。同时, 该设备亦常用于线宽量测。精密测长机又称为TTP(TotalPitch)测长机。
随着中小尺寸高阶产品日益增多且分辨率(PPI)随之增加,,TFT-LCD制 程中对阵列(Array)基板和彩色滤光片(CF)基板贴合的要求也却来越高,其中 所述CF基板的TTP(TotalPitch)精度要求也由之前的5微米(um)以上,变为 现在的3微米(um),因此对于TTP测长机的稳定性的要求也随之增加。
TTP测长机在正常量产中,需定期使用校准片进行校准,以确认测长机 本身量测的准确性。然而,现有的TTP测长机所使用的校准片通常是从产线 量产产品中抽取来使用的,然而其产品本身的遮光材料外露容易受到空气中 湿度及温度的影响,会发生热胀冷缩,因此其量测结果也不准确,使得所述 校准片的作用也就大打折扣,同时也无法长期保存。
因此,有必要提供一种测长机的校准片构造及其制作方法,以解决现有 技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的主要目的是提供一种精密测长机的校准片构造及其制作方法, 通过在其上表面设置一透明保护层,使所述精密测长机的校准片构造不受外 界环境影响,稳定性高,同时可长时间保存。
为达上述目的,本发明提供一种精密测长机的校准片构造,其包含:
一透明基板;
一黑色矩阵层,呈一网格状,设于所述透明基板上,并暴露部分的所述透 明基板;及
一透明保护层,设于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
在本发明的一实施例中,所述透明基板是一玻璃基板。
在本发明的一实施例中,所述透明基板是一符合彩色滤光片基板等级的 玻璃基板。
在本发明的一实施例中,所述透明保护层是一透明导电金属层。
在本发明的一实施例中,所述透明保护层是一n型半导体材料层。
为达上述目的,本发明另提供一种精密测长机的校准片构造的制作方法, 其包含以下步骤:
(a)提供一透明基板;
(b)形成一网格状的黑色矩阵层于所述透明基板上,并暴露部分的所述 透明基板;及
(c)形成一透明保护层于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
在本发明的一实施例中,所述形成一透明保护层于所述透明基板及所述 黑色矩阵层上的步骤是以一物理气相沉积的工艺进行。
在本发明的一实施例中,所述透明基板是一玻璃基板。
在本发明的一实施例中,所述透明保护层是一透明导电金属层。
在本发明的一实施例中,所述透明保护层是一n型半导体材料层。
【附图说明】
图1:本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的侧视示意图。
图2:本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的上视示意图。
图3A-3C:本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的制作方 法示意图。
【具体实施方式】
为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂,下文特举本发明较佳实 施例,幷配合附图,作详细说明。为让本发明上述目的、特征及优点更明显 易懂,下文特举本发明较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下。再者, 本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、 「内」、「外」、「侧面」等,仅是参照附加图式的方向。因此,使用的方向用 语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
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