[发明专利]精密测长机的校准片构造及其制作方法在审
| 申请号： | 201610051129.4 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105549233A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨二 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 精密 长机 校准 构造 及其 制作方法 | ||
1.一种精密测长机的校准片构造，其特征在于，其包含：
一透明基板；
一黑色矩阵层，呈一网格状，设于所述透明基板上，并暴露部分的所述透 明基板；及
一透明保护层，设于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
2.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明基 板是一玻璃基板。
3.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明基 板是一符合彩色滤光片基板等级的玻璃基板。
4.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明保 护层是一透明导电金属层。
5.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明保 护层是一n型半导体材料层。
6.一种精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于：其包含以下步骤：
(a)提供一透明基板；
(b)形成一网格状的黑色矩阵层于所述透明基板上，并暴露部分的所述透 明基板；及
(c)形成一透明保护层于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
7.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于： 所述形成一透明保护层于所述透明基板及所述黑色矩阵层上的步骤是以 一物理气相沉积的工艺进行。
8.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于： 所述透明基板是一玻璃基板。
9.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于： 所述透明保护层是一透明导电金属层。
10.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于： 所述透明保护层是一n型半导体材料层。
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