[发明专利]量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明实施例一般地涉及显示装置领域，尤其涉及量子点发光二极管亚像素阵列的制造方法、由此制造的量子点发光二极管亚像素阵列以及包括该量子点发光二极管亚像素阵列的显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器(LCD)的下一代显示产品。但是，随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向，而高分辨的AMOLED产品很难同LCD竞争，这是因为有机发光显示产品的有机层结构通常采用掩模蒸发的方法制备，但是掩模蒸发方法存在着对位困难、良品率低、无法实现更小面积发光等的缺陷。这种精确控制蒸发区域能力不足的问题，无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示的需求。虽然可以采用印刷和打印的方法来取代掩模蒸发制备有机发光层的工艺，但印刷和打印的方法得到的分辨率也是极其有限的。因此，高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，而商品价格高的严重问题。

另一方面，随着量子点技术的深入发展，使用量子点材料作为发光层的电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。

发明内容

本发明实施例提供一种采用加热工艺制造量子点发光二极管(QD-LED)亚像素阵列的方法、利用该方法制成的量子点发光二极管亚像素阵列、以及包括该亚像素阵列的显示装置。本发明实施例避开了目前采用溶液打印方法制备QD-LED亚像素的工艺困难，同时也大幅度降低了制备高分辨率有源矩阵量子点发光二极管(AM-QD-LED)的难度，从而使得AM-QD-LED的技术成本比AMOLED技术的成本大为降低，也使得其有可能同现有LCD产品进行价格竞争。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种制造量子点发光二极管亚像素阵列的方法，该方法可以包括以下步骤：

量子点接受层形成步骤：在衬底之上形成量子点接受层；

热感性量子点材料层施加步骤：在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层，其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体；以及

热感性量子点材料转移步骤：通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应，以将所述预定区域的所述热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。

根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，去除所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。

根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的承载基板，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。

根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述承载基板。

根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的导热性掩模版，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。

根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述导热性掩模版。

根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上涂布所述热感性量子点材料层。

根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，使用清洗工艺洗掉所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。

根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括激光加热、红外光源加热或加热炉加热中的一种或多种。

根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料转移步骤可以包括在加热之前，将导热性掩模版对位放置在所述热感性量子点材料层上，然后加热所述导热性掩模板。

根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括对热感性量子点材料进行激光的周期性扫描。

根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括对所述衬底整体加热和对所述热感性量子点材料进行激光的周期性扫描。

根据本发明的示例性实施例，所述加热可以还包括对所述衬底的整体加热。

根据本发明的示例性实施例，位于所述热感性量子点材料层与所述衬底之间的空穴传输层或电子传输层可以被用作所述量子点接受层。