[发明专利]量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种制造量子点发光二极管亚像素阵列的方法，包括以下步骤：

量子点接受层形成步骤：在衬底之上形成量子点接受层；

热感性量子点材料层施加步骤：在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层，其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体；以及

热感性量子点材料转移步骤：通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应，以将所述预定区域的所述热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，去除所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层施加步骤包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的承载基板，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述承载基板。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层施加步骤包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的导热性掩模版，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述导热性掩模版。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层施加步骤包括在所述量子点接受层上涂布所述热感性量子点材料层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，使用清洗工艺洗掉所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述加热为激光加热、红外光源加热或加热炉加热中的一种或多种。

10.根据权利要求1-4、7、8中任一项所述的方法，其中，所述热感性量子点材料转移步骤包括在加热之前，将导热性掩模版对位放置在所述热感性量子点材料层上，然后加热所述导热性掩模板。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述加热包括对热感性量子点材料层进行激光的周期性扫描。

12.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述加热包括对所述衬底整体加热和对所述热感性量子点材料层进行激光的周期性扫描。

13.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述加热还包括对所述衬底的整体加热。

14.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，位于所述热感性量子点材料层与所述衬底之间的空穴传输层或电子传输层被用作所述量子点接受层。

15.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层中的所述有机配体含有易受热分解而生成胺基、羟基、羧基或酚羟基的基团。

16.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，

所述量子点接受层为带有胺基、吡啶基、羧基或羟基的聚合物层。

17.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层中的所述有机配体含有1,3-丁二烯基团，所述量子点接受层含有烯基；或者，所述热感性量子点材料层中的所述有机配体含有烯基，所述量子点接受层含有1,3-丁二烯基团。

18.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述导热性掩模版由油溶性材料制成。

19.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层的所述承载基板由油溶性材料制成。

20.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述方法用于将两种以上的热感性量子点材料形成在相应的亚像素区域上，所述方法包括在所述量子点接受层形成步骤之后针对所述两种以上的热感性量子点材料中的每一种热感性量子点材料分别执行所述热感性量子点材料层施加步骤和所述热感性量子点材料转移步骤。