[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基材以及形成于所述衬底基材上的第一金属层、绝缘层、多晶硅半导体层以及第二金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的第一金属层为所述阵列基板的TFT的栅极，所述第二金属层包括间隔设置的第三区域和第四区域，所述第三区域和所述第四区域的第二金属层分别为所述TFT的源极和漏极，其中，所述多晶硅半导体层和所述第二区域的第一金属层通过夹持于两者之间的所述绝缘层绝缘重叠，或者，所述多晶硅半导体层和所述第四区域的第二金属层通过夹持于两者之间的所述绝缘层绝缘重叠，以形成所述阵列基板的MIS存储电容；

其中，当所述第一金属层或所述第二金属层一侧接收负性灰阶电压时，所述多晶硅半导体层中形成空穴，当接收正性灰阶电压时，在所述空穴所在区域会形成耗尽层，能够降低所述MIS存储电容的电容量，从而降低所述MIS存储电容在正负性灰阶电压时的电容量差值；

所述TFT的栅极位于所述多晶硅半导体层的上方，所述阵列基板还包括形成于所述衬底基材上的遮光金属层、设置于所述遮光金属层和所述多晶硅半导体层之间的缓冲层，所述遮光金属层位于所述第一区域的下方；

所述阵列基板还包括形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间的介质隔离层，所述多晶硅半导体层连接所述阵列基板的导电金属层，所述介质隔离层形成有第一接触孔，所述第二区域的第一金属层通过所述第一接触孔与所述第四区域的第二金属层连接，使得所述多晶硅半导体层和所述第二区域的第一金属层以及两者之间的绝缘层形成所述MIS存储电容。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅半导体层连接所述阵列基板的导电金属层，所述第四区域的第二金属层的一部分直接设置于所述绝缘层上，使得所述多晶硅半导体层和所述第四区域的第二金属层以及两者之间的绝缘层形成所述MIS存储电容。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光金属层包括间隔设置的第五区域和第六区域，所述第五区域位于所述第一区域的下方，所述阵列基板的导电金属层包括所述第六区域的遮光金属层，所述缓冲层形成有第二接触孔，所述多晶硅半导体层通过所述第二接触孔与所述第六区域的遮光金属层连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第六区域的遮光金属层横跨所述阵列基板的有效显示区域，所述阵列基板还包括设置于所述衬底基材上的公共电极，所述第六区域的遮光金属层在所述有效显示区域的外围与所述公共电极连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅半导体层包括重掺杂处理后的多晶硅层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述重掺杂处理包括对所述多晶硅层重掺杂铍Be。

7.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括权利要求1-6任意一项所述的阵列基板。

8.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括液晶显示面板和为所述液晶显示面板提供光线的光源模组，其特征在于，所述液晶显示面板为权利要求7所述的液晶显示面板。