[发明专利]存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统

说明书

本发明公开了一种存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统，涉及数据存储领域。为解决现有技术影响存储装置的使用寿命的问题而发明。本发明实施例公开的技术方案包括：第一操作(S10)：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第二操作(S20)：根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；第三操作(S30)：基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；第四操作(S40)：如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，更具体地，本发明涉及一种存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统。

背景技术

在使用电子设备的过程中，电子设备会不断对存储装置进行擦除和写入。对于具备有限擦写次数的存储装置，在数据写入过程中，首先通过编程电压施加到存储装置的基本读写单元的全部存储单元；然后验证全部存储单元是否都被正确写入并达到目标状态；当全部存储单元都被正确写入并达到目标状态时，才完成本次写入；否则，需要通过增量电压修改写入电压后再次写全部存储单元，直至全部存储单元都被正确写入并达到目标状态。

然而，由于要求全部存储单元被写入并达到目标状态，因此写操作需要的“写入”和“验证”次数较多，进而导致写操作的时间较长、延时较大，且对存储装置的损害较大，影响存储装置的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于缩短写操作的时间，减少延时，从而减少写操作对存储装置的损害，进而延长存储装置的使用寿命。

根据本发明的第一方面，提供一种存储装置的写入方法，包括：第一操作(S10)：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第二操作(S20)：根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；第三操作(S30)：基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；第四操作(S40)：如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作。

根据本发明第一方面的一个实施方式，进一步的，如果所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量不大于预设第一阈值，还包括：第五操作(S50)：根据预设第一增量电压获取第一增量写入电压，并通过所述第一增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；重新执行所述第二操作(S20)，直至写操作结束。

根据本发明第一方面的一个实施方式，进一步的，在所述第一操作(S10)之前，还包括：判断操作(S00)：判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；如果为使用第一存储写入模式，执行所述第一操作(S10)。

根据本发明第一方面的一个实施方式，进一步的，如果所述判断结果为使用第二存储写入模式，还包括：第六操作(S60)：通过预设第二编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第七操作(S70)：通过预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第二读出结果；第八操作(S80)：基于所述第二读出结果确定所述基本读写单元内具有正确的目标状态的存储单元的第二数量；第九操作(S90)：如果具有正确目标状态的存储单元的第二数量大于预设第二阈值，结束写操作；第十操作(S100)：如果具有正确目标状态的存储单元的数量不大于预设第二阈值，根据预设第二增量电压获取第二增量写入电压，并通过所述第二增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；重新执行所述第七操作(S70)，直至写操作结束；其中所述第二编程电压大于所述第一编程电压，和/或所述第二阈值大于所述第一阈值，和/或所述第一增量电压大于所述第二增量电压。

根据本发明第一方面的一个实施方式，进一步的，所述第七操作(S70)替换为通过预设第二校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元；所述第二校验电压大于所述第一校验电压。