[发明专利]存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统

权利要求书

1.一种存储装置的写入方法，其特征在于，包括：

在存储介质的生命周期的初期，使用第一存储写入模式执行写入操作；在存储介质的生命周期的末期，使用第二存储写入模式执行写入操作；

其中，第一存储写入模式下的写入方法包括：

第一操作（S10）：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；

第二操作（S20）：根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；

第三操作（S30）：基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；

第四操作（S40）：如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作；

如果所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量不大于预设第一阈值，所述方法还包括：

第五操作（S50）：根据预设第一增量电压获取第一增量写入电压，并通过所述第一增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；

其中，第一增量写入电压等于第一增量电压和前一次写操作所使用的电压之和；

重新执行所述第二操作（S20），直至写操作结束；

第二存储写入模式下的写入方法包括：

第六操作（S60）：通过预设第二编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；

第七操作（S70）：通过预设第二校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第二读出结果；

第八操作（S80）：基于所述第二读出结果确定所述基本读写单元内具有正确的目标状态的存储单元的第二数量；

第九操作（S90）：如果具有正确目标状态的存储单元的第二数量大于预设第二阈值，结束写操作；

第十操作（S100）：如果具有正确目标状态的存储单元的数量不大于预设第二阈值，根据预设第二增量电压获取第二增量写入电压，并通过所述第二增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；

其中，第二增量写入电压等于第二增量电压和前一次写操作所使用的电压之和；

重新执行所述第七操作（S70），直至写操作结束；

其中，第一存储写入模式的第一编程电压小于第二存储写入模式的第二编程电压，第二存储写入模式的第二阈值大于第一存储写入模式的第一阈值；第一存储写入模式的第一增量电压大于第二存储写入模式的第二增量电压；第一存储写入模式的第一校验电压小于第二存储写入模式的第二校验电压；

所述第一阈值的取值范围为（n-m-1，n），n为基本读写单元内中的存储单元数量，m为存储设备中表征纠错能力的存储单元数量。

2.根据权利要求1所述的存储装置的写入方法，其特征在于，在所述第一操作（S10）之前，还包括：

判断操作（S00）：判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；

如果为使用第一存储写入模式，执行所述第一操作（S10）。

3.根据权利要求2所述的存储装置的写入方法，其特征在于，所述判断操作（S00）包括：

根据指示不同写入模式的写入命令，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；或者，

根据用户输入的写入模式的选取指示，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；或者，

根据所述存储装置的状态信息，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；或者，

根据预设存储控制器发送的指示，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的存储装置的写入方法，其特征在于，还包括：

修改操作（S21）：根据用户输入的设定指示修改预设第一阈值、第一编程电压、第一增量电压或第一校验电压；或者根据存储装置的状态信息修改预设第一阈值、第一编程电压、第一增量电压或第一校验电压。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的存储装置的写入方法，其特征在于，还包括：

修改操作（S22）：根据用户输入的设定指示修改预设第二阈值、第二编程电压、第二增量电压或第二校验电压；或者根据存储装置的状态信息修改预设第二阈值、第二编程电压、第二增量电压或第二校验电压。