[发明专利]一种单颗粒独居石的双测年方法在审
申请号: | 201610048310.X | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105572217A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 金超;刘浪涛;白峰青;张贝贝;王冬利;魏利娜 | 申请(专利权)人: | 河北工程大学 |
主分类号: | G01N27/64 | 分类号: | G01N27/64 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 董芙蓉 |
地址: | 056038 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 颗粒 独居石 双测年 方法 | ||
技术领域
本发明涉及测年方法,尤其涉及一种单颗粒独居石的双测年 方法。
背景技术
放射性同位素测年是近些年发展迅速的测年技术,它的成熟 大大促进了地质年代学的发展。目前应用较多的是对锆石、磷灰 石进行U-Pb测年或者(U-Th)/He测年,来研究其结晶年龄或者 冷却年龄,技术也比较成熟。但是,目前国内没有人对独居石的 测年方法进行研究,国外目前有极个别学者对独居石单独进行 U-Pb测年或者单独进行(U-Th)/He测年,但是把两种方法联合起 来的双测年法至今没人研究。本发明的创新点就是在同一颗独居 石颗粒上实现U-Pb和(U-Th)/He双测年方法应用。
发明内容
本发明是为了解决上述不足,提供了一种单颗粒独居石的双 测年方法。
本发明的上述目的通过以下的技术方案来实现:一种单颗粒 独居石的双测年方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)选择晶型完整且不含包裹体的单颗粒独居石,借助数 码相机拍照,获得独居石颗粒精确的形状和尺寸,用于计算α粒 子射出校正参数FT,计算公式为:
其中FT:α粒子射出校正参数;S:独居石中U和Th发生衰 变时α粒子的停止距离;R:单颗粒独居石晶体的内切球半径, 为了更加精确地计算FT,R的值最好为60-70μm;
(2)将单颗粒独居石固定在双面胶带上,用激光剥蚀电感 耦合等离子质谱仪(LA-ICPMS)进行U-Pb测年;用激光直接照 射独居石颗粒的外表面,束斑半径为20μm,烧蚀坑的深度为约 20μm;对于年龄小于1300Ma的独居石,采用206Pb/238U来代表 其U-Pb年龄;对于年龄大于1300Ma的独居石,采用207Pb/206Pb 来代表其U-Pb年龄;
(3)把上述单颗粒独居石剥离下来,放入1mm3金属箔容器 中,用激光加热至1300℃,持续20分钟,将独居石中的99%以 上的4He释放出来;用10ncc(1ncc=1×10-9ml)的3He对释放出 来的4He进行稀释,用活性炭对4He和3He进行聚集和深低温(16K) 纯化;然后用四极质谱仪(QMS)在静态模式下测量4He/3He的比 值,获得4He的含量;
(4)将释放出4He之后的独居石放入经过校准的233U和229Th 溶液中,加入30%的硝酸进行溶解,然后用等离子质谱仪(ICPMS) 测量238U/233U、235U/233U和232Th/229Th的比值,获得238U、235U和232Th 的含量;
(5)根据下式计算出(U-Th)/He年龄;
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