[发明专利]一种单颗粒独居石的双测年方法在审

专利信息
申请号: 201610048310.X 申请日: 2016-01-25
公开(公告)号: CN105572217A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 金超;刘浪涛;白峰青;张贝贝;王冬利;魏利娜 申请(专利权)人: 河北工程大学
主分类号: G01N27/64 分类号: G01N27/64
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 董芙蓉
地址: 056038 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 颗粒 独居石 双测年 方法
【权利要求书】:

1.一种单颗粒独居石的双测年方法,其特征在于:包括以 下步骤:

(1)选择晶型完整且不含包裹体的单颗粒独居石,借助数 码相机拍照,获得独居石颗粒精确的形状和尺寸,用于计算α粒 子射出校正参数FT,计算公式为:

FT=1-3S4R+S316R3]]>

其中FT:α粒子射出校正参数;S:独居石中U和Th发生衰 变时α粒子的停止距离;R:单颗粒独居石晶体的内切球半径, 为了更加精确地计算FT,R的值最好为60-70μm;

(2)将单颗粒独居石固定在双面胶带上,用激光剥蚀电感 耦合等离子质谱仪(LA-ICPMS)进行U-Pb测年;用激光直接照 射独居石颗粒的外表面,束斑半径为20μm,烧蚀坑的深度为约 20μm;对于年龄小于1300Ma的独居石,采用206Pb/238U来代表 其U-Pb年龄;对于年龄大于1300Ma的独居石,采用207Pb/206Pb 来代表其U-Pb年龄;

(3)把上述单颗粒独居石剥离下来,放入1mm3金属箔容器 中,用激光加热至1300℃,持续20分钟,将独居石中的99%以 上的4He释放出来;用10ncc(1ncc=1×10-9ml)的3He对释放出 来的4He进行稀释,用活性炭对4He和3He进行聚集和深低温(16K) 纯化;然后用四极质谱仪(QMS)在静态模式下测量4He/3He的比 值,获得4He的含量;

(4)将释放出4He之后的独居石放入经过校准的233U和229Th 溶液中,加入30%的硝酸进行溶解,然后用等离子质谱仪(ICPMS) 测量238U/233U、235U/233U和232Th/229Th的比值,获得238U、235U和232Th 的含量;

(5)根据下式计算出(U-Th)/He年龄;

N4He=8·N238U·(eλ8·t-1)+7·N235U·(eλ5·t-1)+6·N232Th·(eλ2·t-1)]]>

其中:测得的4He的原子数;测得的238U的原子 数;测得的235U的原子数;测得的232Th的原子数; λ8238U的衰变常数;λ5235U的衰变常数;λ2232Th的衰变常数; t:衰变持续的时间,即(U-Th)/He年龄;

(6)根据α粒子射出校正参数对测量值进行校正;

T=TmFT]]>

其中:T:经过校正的(U-Th)/He年龄;Tm:测量获得的 (U-Th)/He年龄;FT:α粒子射出校正参数。

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