[发明专利]一种扇出型芯片的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种扇出型芯片的封装方法，其特征在于，所述扇出型封装方法包括：

步骤1)，提供带凸块的第一芯片以及不带凸块的第二芯片，于所述第二芯片表面形成第一介质层，并于所述第一介质层中制备出通孔，所述通孔内露出有所述第二芯片的金属焊盘；

步骤2)，提供一表面形成有粘合层的载体，并将第一芯片及第二芯片粘合于所述粘合层；

步骤3)，对第一芯片以及第二芯片进行封装，且封装后露出有第一芯片的凸块以及第二芯片表面第一介质层中的通孔；

步骤4)，沉积覆盖第一芯片及第二芯片的第二介质层，于第一芯片的各凸块处以及第二芯片的通孔处打开窗口；

步骤5)，基于所述窗口制作金属布线层，实现第一芯片以及第二芯片的电性引出，并实现第一芯片以及第二芯片之间的互连；

步骤6)，于所述金属布线层上制作凸块下金属层以及微凸点。

2.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：还包括步骤7)，去除所述载体以及粘合层。

3.根据权利要求2所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：所述载体包括玻璃、透明半导体材料、以及透明聚合物中的一种。

4.根据权利要求3所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：所述粘合层包括UV粘合胶，步骤7)中，采用曝光方法使所述UV粘合胶降低黏性，以实现其与塑封材料的分离。

5.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：步骤1)于所述第一介质层中制备出通孔后，还包括于所述第一介质层表面粘合胶带进行保护的步骤；步骤3)进行封装后，还包括将所述胶带去除的步骤。

6.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：所述第一介质层包括二氧化硅、磷硅玻璃、碳氧化硅、碳化硅、以及聚合物中的一种。

7.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：采用旋涂法、化学气相衬底法或等离子增强化学气相沉积法于所述芯片表面形成介质层。

8.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：步骤3)中，对第一芯片以及第二芯片进行封装后的塑封材料高度不超过各凸块以及第一介质层，以使各凸块以及第一介质层露出于塑封材料的表面。

9.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：步骤3)中，对第一芯片以及第二芯片进行封装采用的塑封材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

10.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：步骤3)中，对第一芯片以及第二芯片进行封装采用的工艺包括：压缩成型工艺、印刷工艺、传递模塑工艺、液体密封剂固化成型工艺、真空层压工艺以及旋涂工艺中的一种。

11.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：步骤5)中，采用蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺制作所述金属布线层。

12.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：所述金属布线层的材料包括铝、铜、锡、镍、金及银中的一种。

13.根据权利要求1所述的扇出型芯片的封装方法，其特征在于：所述微凸点包括金锡焊球、银锡焊球、铜锡焊球中的一种，或者，所述微凸点包括铜柱，形成于铜柱上的镍层、以及形成于所述镍层上的焊球。