[发明专利]提取芯片版图特征的方法、CMP仿真方法及系统

权利要求书

1.一种提取芯片版图特征的方法，其特征在于，包括：

读取待处理的芯片版图，将芯片版图划分成多个窗格；

对于芯片版图内任一窗格，先在所述窗格的周围外延出多个虚拟窗格；

提取所述窗格以及每个虚拟窗格的特征参数；

为所述窗格以及每个虚拟窗格分配相应的权重；

利用所述窗格以及每个虚拟窗格的特征参数和所述权重，计算所述窗格的等效特征参数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将芯片版图划分成多个窗格的步骤包括：

从所述芯片版图的起点开始，采用固定大小的窗格对芯片表面的版图进行顺序划分；

将窗格中的所有结构等效为矩形。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述固定大小与所述芯片版图的工艺技术节点相适配。

4.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，当所述等效特征参数为CMP工艺模拟所需的参数时，将所述芯片版图划分成的多个窗格的尺寸小于或等于所述芯片版图的平坦化长度。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述等效特征参数为一待模拟工艺的模拟所需的参数时，根据所述芯片版图的工艺技术节点以及所述待模拟工艺的参数要求，在所述窗格的周围外延出多个虚拟窗格。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过将所述窗格的相应的边向外移动一定距离，以在所述窗格的周围外延出多个虚拟窗格。

7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，每个所述虚拟窗格的大小均不超出所述窗格周围的芯片版图上的窗格。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述窗格位于所述芯片版图的内部区域时，以所述窗格为中心，以所述窗格的各边延长线为虚拟窗格的分界线，在所述窗格的左、右、上、下四个边外侧外延出8个虚拟窗格；当所述窗格位于所述芯片版图的边界时，向所述芯片版图的内部方向外延出所述窗格周围的多个虚拟窗格。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，位于所述窗格的顶角位置的虚拟窗格的边长为所述窗格的1/4～3/4。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述8个虚拟窗格与所述窗格构成的区域与所述窗格的形状相似。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征参数包括图形密度、图形线宽、图形间距以及图形周长中的至少一种。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述窗格以及每个虚拟窗格的特征参数为所述窗格以及每个虚拟窗格进行权重分配；或者根据从所述芯片版图的所有窗格的特征参数统计出的特征参数范围为所述窗格以及每个虚拟窗格进行权重分配。

13.一种CMP仿真方法，其特征在于，包括：

版图划分及特征提取步骤：采用权利要求1至12中任一项所述的提取芯片版图特征的方法来提取一待模拟的芯片版图的等效特征参数；

CMP模拟步骤：选取一CMP模型，将所述等效特征参数作为所述CMP模型的参数进行CMP工艺仿真；

结果输出步骤：输出所述CMP工艺仿真的仿真数据。

14.如权利要求13所述的CMP仿真方法，其特征在于，输出所述CMP工艺仿真的仿真数据的步骤包括：对CMP工艺仿真后的芯片表面进行CMP热点检测，获得CMP工艺仿真后的各个CMP热点处的特征参数。

15.如权利要求14所述的CMP仿真方法，其特征在于，所述CMP热点处CMP工艺仿真后的特征参数包括CMP层的厚度、表面高度、金属碟形和介质侵蚀中的至少一项。