[发明专利]一种ESD版图结构及静电保护电路在审
| 申请号： | 201610042080.6 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN106992171A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 汪广羊;顾力晖;孙贵鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 esd 版图 结构 静电 保护 电路 | ||
1.一种静电保护电路，包括输入端、接地端和GGNMOS，其特征在于，GGNMOS的衬底以及源极均连接至所述接地端，GGNMOS的漏极连接至所述输入端；
所述保护电路还进一步包括二极管，所述二极管的负极连接至GGNMOS的栅极，所述二极管的正极连接至所述接地端。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述输入端包括焊盘，所述焊盘与保护电路相连接。
3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述焊盘选用金属材料。
4.一种ESD版图结构，包括：
半导体衬底；
若干栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的第一端具有第一类型掺杂，所述栅极结构的第二端具有第二类型掺杂，
若干源极和若干漏极，位于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中，具有第一类型掺杂；
其中，所述栅极结构的第二端、所述半导体衬底和所述源极均连接至接地端，所述漏极连接至输入端。
5.根据权利要求4所述的ESD版图结构，其特征在于，所述栅极结构的第二端与所述源极的掺杂区域至少部分重叠。
6.根据权利要求5所述的ESD版图结构，其特征在于，在所述栅极结构的第二端与所述源极的掺杂区域的重叠部分设置有接触孔，以将所述源极和所述栅极结构的第二端连接至所述接地端。
7.根据权利要求4所述的ESD版图结构，其特征在于，所述源极和所述漏极呈叉指形结构，所述源极和所述漏极的叉指相互隔离交叉设置，所述栅极结构位于所述源极和所述漏极的叉指之间。
8.根据权利要求7所述的ESD版图结构，其特征在于，所述源极和所述漏极的叉指上还设置有接触孔阵列。
9.根据权利要求4所述的ESD版图结构，其特征在于，所述ESD版图结构还包括焊盘，所述焊盘与保护电路相连接。
10.根据权利要求9所述的ESD版图结构，其特征在于，所述焊盘选用 金属材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
