[发明专利]一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

本发明公开了一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，其中，制造方法包括：通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。本发明提供的双栅TFT阵列基板及其制造方法，通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅，与传统的先制作公共电极，再制作顶栅的工艺过程相比，减少了构图工艺的次数，简化了工艺流程。同时，本发明中通过还原方法得到的双栅TFT阵列基板中的顶栅与底栅具有相近的电阻，保证了整个阵列基板的稳定性。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体而言，涉及一种双栅TFT阵列基板的制造方法、一种双栅TFT阵列基板和一种显示装置。

背景技术

在液晶显示领域中，薄膜晶体管的有源层一直使用稳定性能、加工性能等优异的硅系材料，硅系材料主要分为非晶硅和多晶硅，其中非晶硅材料迁移率很低，而多晶硅材料虽然有较高的迁移率，但用其制造的器件均匀性较差，良率低，单价高。所以近年来，将透明氧化物半导体膜用于沟道形成区来制造薄膜晶体管(TFT)等，并应用于电子器件及光器件的技术受到广泛关注。其中，利用以铟、镓、锌、氧为构成元素的非晶质In-Ga-Zn-O系材料(a-IGZO)的场效应型晶体管因其具有较高迁移率，较大开关比，而得到了最多的瞩目。但是IGZO是非晶结构，特性很不稳定，所以提高氧化物器件的稳定性非常重要。改善氧化物稳定性有很多方向，其中使用上下双栅极结构是一种非常有效的方法。

现有制备双栅结构的氧化物器件需要在传统的BCE(背沟道刻蚀)或者ESL(刻蚀阻挡层)结构TFT区域上方增加一层金属作为顶栅(Top-Gate)，该结构需要增加一次金属的图案化工艺和保护该层金属的绝缘层的沉积工艺。步骤繁多，工艺复杂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何简化双栅极薄膜晶体管阵列基板的工艺流程。

针对该技术问题，第一方面，本发明提供一种双栅TFT阵列基板的制造方法，包括：

通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。

优选地，在形成所述公共电极和顶栅前，还包括：

在基底上形成底栅和栅线；

在所述底栅和栅线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成第一钝化层；

其中，所述公共电极和顶栅形成在所述第一钝化层上_。

优选地，还包括：

在所述第一钝化层和所述栅绝缘层中与所述栅线对应的位置形成过孔，所述顶栅与所述栅线通过过孔连接。

优选地，还包括：

在所述公共电极和顶栅上形成第二钝化层，在所述第二钝化层上形成像素电极。

优选地，所述双栅TFT阵列基板的有源层为IGZO。

优选地，所述公共电极为透明金属氧化物，形成所述公共电极和顶栅的步骤包括：

对所述顶栅进行还原处理。

优选地，形成所述公共电极和顶栅的步骤包括：

形成透明金属氧化物层；

在所述透明金属氧化物层上形成光刻胶；

对所述光刻胶进行半灰阶掩膜曝光处理，通过显影，保留第一区域的光刻胶，部分保留第二区域的光刻胶，去除其他区域光刻胶；

蚀刻掉所述其他区域的透明金属氧化物层；

通过一次灰化工艺去除所述第二区域的光刻胶，减薄第一区域的光刻胶厚度；