[发明专利]一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种双栅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成透明金属氧化物层；

在所述透明金属氧化物层上形成光刻胶；

对所述光刻胶进行半灰阶掩膜曝光处理，通过显影，保留第一区域的光刻胶，部分保留第二区域的光刻胶，去除其他区域光刻胶；

蚀刻掉所述其他区域的透明金属氧化物层；

通过一次灰化工艺去除所述第二区域的光刻胶，减薄所述第一区域的光刻胶厚度；

对第二区域的透明金属氧化物层进行等离子还原气体表面处理，以析出所述第二区域的透明金属氧化物层中的金属，将所述第一区域的透明金属氧化物层作为公共电极，将所述第二区域的金属层作为顶栅。

2.根据权利要求1所述的双栅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述公共电极和顶栅前，还包括：

在基底上形成底栅和栅线；

在所述底栅和栅线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成第一钝化层；

其中，所述公共电极和顶栅形成在所述第一钝化层上。

3.根据权利要求2所述的双栅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第一钝化层和所述栅绝缘层中与所述栅线对应的位置形成过孔，所述顶栅与所述栅线通过过孔连接。

4.根据权利要求1所述的双栅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述公共电极和顶栅上形成第二钝化层，在所述第二钝化层上形成像素电极。

5.根据权利要求1所述的双栅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述双栅TFT阵列基板的有源层为IGZO。

6.一种双栅TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

依次设置在所述基底上的底栅、IGZO形成的有源层、同层且同材料形成的公共电极和顶栅；

其中，所述公共电极为透明氧化铟锡，所述顶栅为透明氧化铟锡经还原处理得到的金属铟。

7.根据权利要求6所述的双栅TFT阵列基板，其特征在于，还包括：

栅线；

设置在所述底栅和栅线上的栅绝缘层；

设置在所述有源层上的源极和漏极；

设置在所述源极和漏极上的第一钝化层；

其中，所述公共电极和顶栅形成在所述第一钝化层上。

8.根据权利要求7所述的双栅TFT阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在所述第一钝化层和所述栅绝缘层中与所述栅线对应位置的过孔，用于将所述顶栅与所述栅线连通。

9.根据权利要求6所述的双栅TFT阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在所述公共电极和顶栅上的第二钝化层；

设置在所述第二钝化层上的像素电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6至9中任一项所述的双栅TFT阵列基板。