[发明专利]一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器

权利要求书

1.一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器，其特征在于，包括PMOS输入管M1、M2、M3和M4构成的自偏置共源共栅输入级结构，NMOS管M5、M6、M7和M8构成的自偏置共源共栅第一级负载结构，NMOS管M9和PMOS管M10构成的第二级共源放大器结构，NMOS管M11、M12和PMOS管M13构成的偏置电路结构，放大器补偿电容C_C，放大器负载电容C_L，基准电流源Iref和提供恒流源功能的PMOS管M0；其中，

所述PMOS输入管M1和M2的源极接PMOS管M0的漏极，PMOS输入管M1和M3的栅极接输入信号VIN，PMOS输入管M2和M4的栅极接输入信号VIP，PMOS输入管M1的漏极接PMOS输入管M3的源极，PMOS输入管M2的漏极接PMOS输入管M4的源极，PMOS输入管M3和M4的衬底接偏置电压Vp，该偏置电压Vp由放大器偏置电路中栅漏相连的PMOS管M13的栅压提供；

所述NMOS管M5的栅极和漏极均与NMOS管M6、M7、M8的栅极以及PMOS输入管M3的漏极连接，NMOS管M6的漏极接PMOS输入管M4的漏极，NMOS管M5的源极接NMOS管M7的漏极，NMOS管M6的源极接NMOS管M8的漏极，NMOS管M7和M8的源极接地，NMOS管M5和M6的衬底接偏置电压Vn，该偏置电压Vn由放大器偏置电路中栅漏相连的NMOS管M11的栅压提供；

所述PMOS管M10、M0、M13的源极接电源电压vdd，PMOS管M10的栅极接PMOS管M0和M13的栅极，PMOS管M10的漏极、补偿电容Cc的一端、NMOS管M9的漏极和负载电容C_L的一端相互连接形成一个连接节点，且该连接节点为所述跨导放大器的输出端Vout，补偿电容Cc的另一端接PMOS输入管M2的漏极，负载电容C_L的另一端和NMOS管M9的源极接地，NMOS管M9的栅极接PMOS输入管M4的漏极；

所述PMOS管M13的漏极接NMOS管M12的漏极，NMOS管M12的栅极接基准电流源Iref的一端以及NMOS管M11的栅极和漏极，NMOS管M11和M12的源极接地，基准电流源Iref的另一端接电源电压vdd。

2.根据权利要求1所述的基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器，其特征在于，所述PMOS输入管M1和M3的沟道长度之比为1：4，所述NMOS管M5和M7的沟道长度之比为1：4。

3.根据权利要求1所述的基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器，其特征在于，所述补偿电容Cc的电容值为2～4pF。