[发明专利]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610039763.6 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN106992208B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;张培健;钟怡;王林凡;肖添;胡镜影;杨婵;王盛 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄硅层 soi 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括第二导电类型衬底层(1)、绝缘介质层(2)、第二导电类型阴极阱区(3)、重掺杂第一导电类型阴极区(4)、重掺杂第二导电类型阴极区(5)、阴极接触区(6)、栅极接触区(7)、栅极介质层(8)、第一导电类型漂移区(9)、第一导电类型阳极缓冲区(10)、重掺杂第二导电类型阳极区(11)、阳极接触区(12)、重掺杂第一导电类型阳极区(13)、浅槽隔离区(14)、第二导电类型浮空区(15)和第一导电类型阳极阱区(16)；
所述绝缘介质层(2)覆盖于第二导电类型衬底层(1)之上；
所述第二导电类型阴极阱区(3)、第一导电类型漂移区(9)、第一导电类型阳极缓冲区(10)和第一导电类型阳极阱区(16)，均覆盖于绝缘介质层(2)之上；
所述重掺杂第一导电类型阳极区(13)和浅槽隔离区(14)覆盖于第一导电类型阳极阱区(16)之上；
所述第二导电类型浮空区(15)浮空于第一导电类型阳极阱区(16)内部；
所述重掺杂第二导电类型阳极区(11)位于第一导电类型阳极缓冲区(10)内部；
所述阳极接触区(12)分别覆盖于第二导电类型阳极区(11)之上的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(13)之上的部分表面；
所述重掺杂第一导电类型阴极区(4)和重掺杂第二导电类型阴极区(5)位于第二导电类型阴极阱区(3)的内部；
所述阴极接触区(6)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(5)之上，所述阴极接触区(6)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)之上的部分表面；
所述栅极介质层(8)覆盖于第二导电类型阴极阱区(3)之上，所述栅极介质层(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)和第一导电类型漂移区(9)之上的部分表面；
所述栅极接触区(7)覆盖于栅极介质层(8)之上。
2.根据权利要求1所述的一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第二导电类型衬底层(1)、绝缘介质层 (2)和第一导电类型漂移区(9)构成薄硅层SOI基衬底。
3.根据权利要求1所述的一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述重掺杂第一导电类型阴极区(4)和重掺杂第二导电类型阴极区(5)相接触。
4.根据权利要求1所述的一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第二导电类型阴极阱区(3)和第一导电类型阳极缓冲区(10)分别位于第一导电类型漂移区(9)的两侧；所述第一导电类型阳极阱区(16)与第一导电类型阳极缓冲区(10)相接触。
5.根据权利要求1所述的一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述浅槽隔离区(14)分别与重掺杂第一导电类型阳极区(13)和第一导电类型阳极缓冲区(10)相接触。
6.根据权利要求1所述的一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述重掺杂第二导电类型阳极区(11)与第一导电类型漂移区(9)、浅槽隔离区(14)和第一导电类型阳极阱区(16)不接触。
7.根据权利要求1所述的一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述浅槽隔离区(14)内填充绝缘介质。
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