[发明专利]一种多能量离子束在钢衬底上沉积非晶金刚石厚膜的方法在审

专利信息
申请号: 201610037870.5 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105779937A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 张旭;侯庆艳;廖斌;王宇东 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100875 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 多能 离子束 衬底 沉积 金刚石 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于硬质耐磨涂层领域,具体涉及使用多能量离子束在钢衬底制备厚非晶金刚石 膜的方法。

技术背景

非晶金刚石(amorphousdiamond,a-D),又称四面体非晶碳(tetrahedralamorphous carbon,ta-C),是指SP3杂化的含量超过80%以上的无氢类金刚石碳。与非晶碳(a-C)相比, 非晶金刚石具有SP3杂化含量高,膜层致密等优点;与氢化非晶碳(a-C:H)相比,非晶金刚石 具有沉积温度低、更好的光热稳定性和更高的力学、光学和电学等性能指标;与金刚石膜相 比,非晶金刚石具有结构和性能可调、在室温下制备、表面光滑、沉积面积大等优点,因此 具备更高的实际应用价值,被广泛应用于机械、电子与微电子、生物医学及航空航天等各个 领域,尤其在军工领域DLC涂层发挥着极其重要的作用。

目前,非晶金刚石制备技术大体分为化学气相沉积和物理气相沉积,具体有PECVD法、 溅射法、离子镀、激光脉冲沉积和真空电弧沉积等。这些已有方法制备非晶金刚石需要在高 温下,而钢衬底在高温下会发生相变,这就使非晶金刚石无法沉积在钢衬底。制备的非晶金 刚石膜厚度一般为几百纳米,一方面由于膜基结合力较差,通常使用金属过渡层方法提高结 合力,另一方面是由于非晶金刚石膜层的内应力较高,非晶金刚石膜在如此高的内应力下容 易崩裂。

针对上述情况,本发明介绍一种使用磁过滤阴极弧技术,低温下,在钢衬底上沉积非晶 金刚石厚膜的方法。通过对基底加脉冲负偏压,使到达基底的碳离子束能量不再是单一能量, 而是高能量与低能量的混合,这样可以有效降低膜内应力至2-3GPa,解决了由于应力高使膜 无法长厚的问题,制备厚度高达20μm、硬度高于5000HV,且具有较好的结合力的非晶金刚 石厚膜。

发明内容

本发明的目的是介绍一种使用多能量离子束的磁过滤阴极弧技术,低温下在钢衬底上沉 积非晶金刚石厚膜方法。与传统等离子体制备非晶金刚石技术不同,整个制备过程,靶上都 加www.w有脉冲负偏压,得到多能量离子束,使到达膜表面的离子能量不再是单一的,而是 混合能量,降低膜的内应力,使其可以长厚。本发明中非晶金刚石膜形成过程包括渐变层和 沉积层,渐变层是通过高能碳离子轰击表面形成的非晶态,这样可改善膜基结合力。通过使 用双弯管,过滤掉大颗粒和中性粒子,提高薄膜纯度。通过控制上下磁场强度、弯管正偏压、 靶上负偏压大小、以及负偏压的占空比,以优化非晶金刚石膜的厚度、硬度、摩擦系数、内 应力以及结合力等技术指标。

本发明有以下优益效果:整个沉积过程温度低,低于钢的相变温度,可以成功的在钢 衬底沉积非晶金刚石膜,提高钢件表面性能的同时,又不影响钢件本身的性能。制备高能量 的渐变层,渐变层为非晶态,与钢衬底结合良好,同时,过渡层和沉积层使用同一石墨阴极, 免去其他金属过渡层换源的复杂操作。在靶上加脉冲偏压,使到达基材的离子能量为混合状 态的多能量离子束,这样有效降低非晶金刚石膜的内应力。本发明靶上所加的脉冲负偏压大 小可调,占空比可调,达到控制到达钢衬底的离子束能量的目的。本发明提供的磁过滤等离 子体沉积非晶金刚石厚膜技术,操作简单,制备的厚膜具有高硬度、耐磨损,低摩擦系数、 高结合力等特点,适合应用于刀具及轴承等工件表面沉积等领域。

附图说明

通过附图以及具体实施方式进行说明,本发明上述特征和优点将会变得更加清楚和容易 理解。

图1为本发明的非晶金刚石厚膜结构示意图,

附图标号说明:201-衬底,202-渐变层,203-沉积层;

图2为本发明双弯管磁过滤沉积装置结构示意图;

附图标号说明:101-钢衬底、102-石墨阴极源、103-进气口(本方法未使用)、104- 进气口(本方法未使用)、105-负偏压、106-磁过滤弯管、107-磁过滤线圈、108-观察窗、 109-泵接口;

图3为本发明的不锈钢衬底非晶金刚石膜层示意图;

图4为本发明的不锈钢衬底非晶金刚石膜层拉曼测试示意图;

图5为本发明非晶金刚石膜层维氏硬度测试结果;

图6为本发明的合金钢衬底非晶金刚石膜层的摩擦磨损测试示意图。

具体实施方式

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