[发明专利]多层线路的制作方法与多层线路结构

权利要求书

1.一种多层线路的制作方法，包括：

提供一基材；

于该基材上形成线路层，包括：

于该基材上形成图案化胶体层，其中该图案化胶体层包括60wt％～90wt％的高分子材料与10wt％～40wt％的第一触发子，且该图案化胶体层的表面张力小于等于45mN/m；

活化该第一触发子；以及

通过一化学镀液与活化的该第一触发子反应，以在该图案化胶体层的表面成长导电层；以及

形成导电通孔，包括：

于该基材与该导电层上形成绝缘胶体层，其中该绝缘胶体层包括绝缘胶体与第二触发子，该第二触发子占该绝缘胶体层的比例为0.1wt％～10wt％之间；

利用雷射于该绝缘胶体层中形成至少一开口，暴露该导电层并活化部分该第二触发子；以及

通过被活化的该第二触发子进行无电镀，以于该开口内形成该导电通孔。

2.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中形成该图案化胶体层的方法包括凹版转印、网版印刷、柔版印刷、凸版转印或喷印。

3.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该图案化胶体层的线宽小于等于30微米。

4.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该图案化胶体层的厚度小于等于3微米。

5.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该高分子材料包括压克力系、环氧树脂、酚类树脂或其混合物。

6.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该第一触发子包括离子化合物、金属粒子或其混合物。

7.如权利要求6所述的多层线路的制作方法，其中该金属粒子包括铜粒子、银粒子或钯粒子。

8.如权利要求6所述的多层线路的制作方法，其中该金属粒子包括纳米金属粒子。

9.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该第二触发子包括有机金属化合物、离子化合物、金属螯合物、或能隙大于等于3电子伏特的半导体材料。

10.如权利要求6或9所述的多层线路的制作方法，其中该离子化合物包括CuCl₂、Cu(NO₃)₂、CuSO₄、Cu(OAc)₂、AgCl、AgNO₃、Ag₂SO₄、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl₂、Pd(NO₃)₂、PdSO₄、Pd(OAc)₂、FeCl₂、Fe(NO₃)₂、FeSO₄或[Fe₃O(OAc)₆(H₂O)₃]OAc。

11.如权利要求9所述的多层线路的制作方法，其中该半导体材料是选自由氮化镓、硫化锌、碳化硅、氧化锌、二氧化钛、氮化铝镓、氮化铝、氧化铝、氮化硼、氮化硅及二氧化硅所组成的集合中的一种或其组合。

12.如权利要求9所述的多层线路的制作方法，其中该有机金属化合物的结构为R-M-R’或R-M-X，其中R与R’各自独立为烷基、芳香烃、环烷、卤烷、杂环或羧酸；M是选自由银、钯、铜、金、锡、铝、镍及铁中的一种或其所组成的集合；X为卤素化合物或胺类。

13.如权利要求12所述的多层线路的制作方法，其中该有机金属化合物的该结构中的R与R’中至少一个的碳数≧3。