[发明专利]一种少层MoS2纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种少层MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)往反应容器中加入锂离子插层剂、硫化钼和溶剂，水浴加热，得到水浴加热产物；

(2)将步骤(1)得到的水浴加热产物再进行微波加热，冷却后得到黑色产物；

(3)将步骤(2)得到的黑色产物分离、洗涤干净后，分散于去离子水中进行剥离；

(4)将步骤(3)得到的剥离后的产物过滤、干燥后，即得到少层MoS₂纳米片；

步骤(1)中的溶剂为乙二醇；

步骤(1)中所述的锂离子插层剂为一水氢氧化锂，其在溶剂中的浓度为(0.8～1.14)g/60mL溶剂；

步骤(2)中水浴加热产物的微波加热是在微波炉中进行的，其加热工艺条件为：微波炉功率为200～300W，加热程序按每加热10min、停歇3min进行，直至总加热时间为30min为止；

冷却的工艺条件为随微波炉冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的一种少层MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的硫化钼为块状硫化钼，其在溶剂中的浓度为(0.2～0.3)g/60mL溶剂。

3.根据权利要求1所述的一种少层MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中水浴加热的温度为60～80℃，加热时间为15～35min。

4.根据权利要求1所述的一种少层MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中黑色产物的分离、洗涤的工艺条件为：将黑色产物以1500～2500r/min的转速离心5～10min，然后提取上层悬浮液，再以8000～12000r/min的转速用丙酮离心洗涤；

洗涤干净后的黑色产物在去离子水中的剥离为超声剥离，剥离时间为30～60min。

5.根据权利要求1所述的一种少层MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中剥离后的产物的过滤为用多孔聚偏二氟乙烯滤膜进行抽滤。

6.根据权利要求5所述的一种少层MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，所述的多孔聚偏二氟乙烯滤膜的孔径为0.45μm。

7.根据权利要求1所述的一种少层MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中干燥的工艺条件为：在60～80℃下真空干燥8～10h。