[发明专利]存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器元件，其特征在于，包括：

多个第一导体结构，位于衬底上，且沿着第一方向与第二方向排列，所述第一方向垂直于所述第二方向；

第二导体结构，与所述多个第一导体结构沿着所述第二方向相互排列；

多个堆叠结构，位于所述衬底上，且每一所述堆叠结构位于沿着所述第二方向相互排列的所述多个第一导体结构与所述第二导体结构之间；

第一介电层，位于沿着所述第一方向排列的相邻所述多个第一导体结构之间，且所述第一介电层的顶面低于所述多个第一导体结构的顶面；

凹陷开口，位于所述第二导体结构上，其中所述凹陷开口的底面至少低于所述多个堆叠结构的顶面；以及

至少一介电材料层，位于所述凹陷开口中，以构成凹陷结构。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述凹陷结构的顶面至所述底面的厚度介于80nm至120nm之间。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括：

顶盖层，位于所述多个堆叠结构上；

间隙壁，位于所述多个堆叠结构与所述第二导体结构之间。

4.根据权利要求3所述的存储器元件，其特征在于，所述凹陷结构的顶面与所述顶盖层的顶面为共平面。

5.根据权利要求3所述的存储器元件，其特征在于，所述凹陷结构至少暴露出所述间隙壁的表面。

6.根据权利要求3所述的存储器元件，其特征在于，各所述顶盖层的厚度介于30nm至70nm之间。

7.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，各所述堆叠结构依序包括穿隧介电层、浮置栅极、栅间介电层、控制栅极以及第二介电层。

8.根据权利要求7所述的存储器元件，其特征在于，所述凹陷结构的所述底面高于所述控制栅极的顶面。

9.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述凹陷结构的形状为半圆形、矩形或其组合。

10.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述凹陷结构包括单层结构、两层结构或多层结构。

11.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述凹陷结构的材料包括氮化硅、氧化硅或其组合。

12.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述多个第一导体结构为漏极结构，所述第二导体结构为源极结构。

13.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括金属内连线，位于所述凹陷结构上。