[发明专利]一种基于硼的强亲氧性纯相Dy2S3的合成方法有效

专利信息
申请号: 201610030238.8 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN105502471B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 王景雪;王晓飞 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: C01F17/00 分类号: C01F17/00
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 代理人: 罗民健
地址: 471000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 强亲氧性纯相 dy2s3 合成 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于稀土金属硫化物合成领域,具体涉及一种基于硼的强亲氧性纯相Dy2S3的合成方法。

背景技术

因稀土元素Dy具有特殊的4f电子结构,而赋予其硫化物Dy2S3许多特殊的性质,如低温超导性、非线性光学性质、热电性质等。其应用也非常广泛,可用做导电材料,光学材料,磁性材料,热电材料等。再者,正交稀土锰氧化物,比如DyMnO3,是一种众所周知的单相多铁性材料,而且铁电极化在多铁正交稀土锰氧化物中是最大的。O与S是同一主族元素,而且S2-与O2-相比,有较大的离域半径,因此推断如果正交DyMnS3存在,我们期待它有很大的铁电极化和更高的多铁相变温度,这无疑是一件激动人心的事情。如果按照固相法合成正交DyMnS3,就首先需要有高纯Dy2S3。但是稀土元素,比如Dy有很大的氧亲和力,纯相的Dy2S3合成一直比较困难。目前稀土硫化物的合成方法有:单质直接合成,硫化氢还原法,二硫化碳还原法,水热法,溶剂热法,辐射合成法,固相硼粉还原法等。

单质直接合成是以反应方程式2Dy+3S→Dy2S3的化学配比,以单质Dy和单质S为原料,在一定温度的真空条件下反应制得Dy2S3。但因纯的稀土金属Dy单质不但价格昂贵,而且非常稀有难以得到,合成需要高温高真空的环境,成本较高。在一定温度下,将金属氧化物或者金属盐在H2S/惰性气体携带CS2蒸汽的气氛下进行硫化可以得到相应的稀土硫化物。但硫化氢和二硫化碳是剧毒物质,对环境非常不友好。水热法是在高温、高压反应环境中,采用水作为反应介质,使得通常难溶或不溶的物质溶解并进行重结晶。但稀土硫属化合物易于水解,限制了该方法在合成硫属化合物应用。溶剂热法是用有机溶剂代替水作介质,釆用类似水热合成的原理来制备化合物。溶剂热法涉及到有机溶剂的使用,对安全性和制备条件的控制都比较严格,操作起来不方便。采用射线、微波、激光等辐射较大浓度的稀土金属盐溶液,制备稀土硫属化合物的方法叫做辐射合成法。该方法涉及到射线、微波、激光等的使用,成本较高,设备复杂。

Inorg. Chem. 2009, 48, 7059–7065报道了用硼粉固相还原法合成多元稀土硫化物ZnY6Si2S14、AlxDy3(SiyAl1-y)S7和Al0.33Sm3SiS7三种非线性光学半导体材料。可以注意到这三种材料都含有Si元素,他们实验原料中也确实存在单质Si,结合我们失败的纯相Dy2S3合成实验经历,作者在原料中加入Si元素的目的应该是不让原料与合成容器——石英管中的Si元素反应(防止石英管在煅烧过程中爆裂)。同时也说明了用该方法制备稀土硫化物很容易将石英管中的Si元素引入而得不到纯相的稀土硫化物。再者,稀土金属特别容易与氧结合形成含氧化合物。这样,体系中含氧物质的存在如空气、少量水、少量金属被氧化、含氧反应容器如石英管和玻璃管、含氧化合物杂质等,都将严重影响纯相稀土硫属化合物的合成。为了避免这些影响,纯相稀土硫属化合物的合成就需要高真空反应条件、非含氧反应容器、含氧化合物杂质的预处理、为避免金属单质的氧化而用无水无氧操作技术等,给实验操作带来很大的困难。因此,寻找一种简单、有效的合成纯相稀土硫属化合物,比如纯相Dy2S3的合成方法具有重要的意义。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供一种基于硼的强亲氧性纯相Dy2S3的合成方法。

本发明所采用的技术方案是:一种基于硼的强亲氧性纯相Dy2S3的合成方法,以氧化镝、硫单质和硼单质为原料,封装于内壁镀有碳膜的真空石英管中,并在温度为650-950℃的条件下反应得到Dy2S3

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