[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上依次形成半导体层和导电氧化物层；在衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案；对形成有导电氧化物层和半导体层图案的衬底基板进行退火处理；在形成有退火处理后的导电氧化物层图案的衬底基板上形成源极和漏极；去除源极和漏极之间的导电氧化物层图案。本发明通过在半导体层和导电氧化物层上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，之后对导电氧化物层图案进行退火以提高该层的抗刻蚀能力，解决了相关技术中制作工序复杂的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板以及阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其中阵列基板的制造过程中需要进行多次构图工艺，制作流程较为复杂。

相关技术中有一种阵列基板的制造方法，在该方法中：首先依次在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和半导体层图案，之后为了保护半导体层图案，防止后续在形成源极和漏极时损坏半导体层图案，在形成有半导体层图案的衬底基板上形成刻蚀阻挡层(EtchStop Layer，ESL)图案(ESL图案通常由具有较强的抗刻蚀能力的绝缘材料构成，且ESL图案略小于半导体层图案，以方便源极和漏极与半导体层图案接触)，最后在形成有ESL图案的衬底基板上形成源极和漏极及其它膜层。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：上述方法形成刻蚀阻挡层的制作工序复杂，成本较高。

发明内容

为了解决现有技术中形成刻蚀阻挡层的制作工序复杂，成本较高的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下：

根据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成半导体层和导电氧化物层；

在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，所述导电氧化物层图案的形状和所述半导体层图案的形状一致；

对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行退火处理；

在形成有退火处理后的所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板上形成源极和漏极；

去除所述源极和漏极之间的退火处理后的导电氧化物层图案。

可选地，所述对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行退火处理，包括：

对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火处理，使所述导电氧化物层图案中形成晶粒；

所述去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案，包括：

去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分。

可选地，所述在退火处理后的衬底基板上形成源极和漏极，包括：

在退火处理后的衬底基板上形成金属层；

在形成有所述金属层的衬底基板上形成光刻胶的图案，所述光刻胶的图案与所述源极和漏极的形状一致；

对形成有光刻胶的图案的衬底基板进行刻蚀处理，刻蚀所述金属层；

所述去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分，包括：

控制刻蚀时间刻蚀所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分。

可选地，所述对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火，使所述导电氧化物层图案中形成晶粒，包括：