[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成半导体层和导电氧化物层；

在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，所述导电氧化物层图案的形状和所述半导体层图案的形状一致；

对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火处理，使所述导电氧化物层图案中形成晶粒，所述低温退火处理的温度为100至180度；

在形成有退火处理后的所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板上形成源极和漏极；

去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在退火处理后的衬底基板上形成源极和漏极，包括：

在退火处理后的衬底基板上形成金属层；

在形成有所述金属层的衬底基板上形成光刻胶的图案，所述光刻胶的图案与所述源极和漏极的形状一致；

对形成有光刻胶的图案的衬底基板进行刻蚀处理，刻蚀所述金属层；

所述去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分，包括：

控制刻蚀时间刻蚀所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火，使所述导电氧化物层图案中形成晶粒，包括：

以氮气作为保护气，在温度为100至180度的环境中对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火，持续时间5至100分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，包括：

通过一次构图工艺在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述半导体层由氧化物半导体构成。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。

7.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述导电氧化物层由氧化铟锡构成。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板上形成的半导体层图案和退火处理后的导电氧化物层图案；

形成有所述半导体层图案和退火处理后的所述导电氧化物层图案的衬底基板上形成的源极和漏极，所述源极和漏极之间的半导体层图案上形成有导电氧化物的晶粒。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层图案由氧化物半导体构成。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。

11.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述导电氧化物层由氧化铟锡构成。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8至11任一所述的阵列基板。