[发明专利]优化探针台测试针压参数的方法有效
申请号: | 201610025323.5 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN105632960B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 桑浚之;辛吉升 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 优化 探针 测试 参数 方法 | ||
技术领域
本发明涉及大规模集成电路的晶圆级测试领域,特别是涉及一种优化探针台测试针压参数的方法。
背景技术
随着大规模集成电路的工艺技术研发的不断升级,线宽不断变小,一枚晶圆上芯片(die)的数目越来越多,8英寸的晶圆上常规产品都达到了上万颗芯片,带来的是测试成本的增加。为了降低测试成本,实现大规模的同时测试是必然趋势。这对探针卡的设计、制作和使用均带来了很大的挑战。探针卡针尖的平整度问题日益受到关注。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种优化探针台测试针压参数的方法,能够更加利于测试的接触特性。
为解决上述技术问题,本发明的优化探针台测试针压参数的方法,是采用如下技术方案实现的:
步骤1、按照探针针尖高度,从探针卡的四个角分别进行采样,得到4个样本;
步骤2、从探针卡的一个测试单位的分布的位置处再寻找4个样本;
步骤3、在显微镜下对这8个样本的针尖高度H进行测量,并分别记录为H1,…,H8;
步骤4、根据每个位置针尖高度的不同,定义适当的加权比重,分别记为G1,…G8;
步骤5、对8个样本的针尖高度及与其对应的加权比重数据进行加权平均得到一个评价的针尖高度Hagv;
步骤6、根据步骤5得到的评价的针尖高度Hagv数值定义合适的针尖压力。
采用本发明的方法,可以很好的兼顾测试单元上下边侧和中心部位的探针接触情况;提高探针卡的上下边侧和中心部位的接触特性,使测试结果能够真实的反映晶圆的实际情况,减少过杀。
采用本发明的方法,在适当增加探针高度分析的采样数目,通过适当加权后,使探针的针压量能够体现探针卡针尖的整体高度水平,更加利于测试的接触特性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是对探针针尖高度进行采样的示意图(一);
图2是探针卡的上边侧和下边侧扎到PAD(焊盘)上的几率示意图;
图3是对探针针尖高度进行采样的示意图(二)。
具体实施方式
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。
所述优化探针台测试针压参数的方法,在下面的实施例中,具体实施过程如下:
步骤1、结合图1所示,按照通常的探针针尖高度的采样方法,一般先从探针卡的四个角分别采取一个样本。共计4个样本。图1中的探针卡DUT
(Device Under Test,被测装置)排列示例为32*2排列方式,共64个DUT,依次为DUT1…DUT64,呈细长条形状,一般选择四角的四根针作为对准的参考,如图1中的①号针、②号针、③号针和④号针。
步骤2、结合图3所示,从探针卡的一个测试单位的接近分布的位置处再寻找4个样本。例如,在图3中,除去图1所示四个角的四根针即①号针、②号针、③号针和④号针之外,在探针卡的中心附近再选4根针作为参考点,即⑤号针、⑥号针、⑦号针和⑧号针,共计8根针。
步骤3、在显微镜下对这8个样本的针尖高度H进行测量,并分别记录为H1,…,H8。
步骤4、根据每个位置针尖高度的不同,定义适当的加权比重,并分别记为G1,…G8。
步骤5、对8个样本的针尖高度及与其对应的加权比重数据进行加权平均,得到一个评价的针尖高度Hagv。
步骤6、根据步骤5得到的评价的针尖高度Hagv数值定义合适的针尖压力。即针尖扎到焊盘(PAD)上之后,对PAD的压力,这样可以很好的兼顾测试单元上下边侧和中心部分的探针接触情况。
在上述方法的基础上,可以根据实际的需要,适当增加探针采样的数目,但是采样太多会导致针尖对位时因为不能自动对准而导致的报警次数的增加。
结合图2所示,通常探针卡的上边侧和下边侧的扎到PAD上的几率为50%。图2中的1指示的位置,表示探针卡的上边侧探针没有扎到PAD上面;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610025323.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造