[发明专利]优化探针台测试针压参数的方法有效
申请号: | 201610025323.5 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN105632960B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 桑浚之;辛吉升 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 优化 探针 测试 参数 方法 | ||
1.一种优化探针台测试针压参数的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、按照探针针尖高度,从探针卡的四个角分别进行采样,得到4个样本;
步骤2、从探针卡的一个测试单位的分布的位置处再寻找4个样本;
步骤3、在显微镜下对这8个样本的针尖高度H进行测量,并分别记录为H1,…,H8;
步骤4、根据每个位置针尖高度的不同,定义适当的加权比重,分别记为G1,…G8;
步骤5、对8个样本的针尖高度及与其对应的加权比重数据进行加权平均得到一个评价的针尖高度Hagv;
步骤6、根据步骤5得到的评价的针尖高度Hagv数值定义合适的针尖压力。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤2所述再寻找4个样本,是在探针卡的中心位置附近再选4个样本。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:根据实际需要,增加探针高度分析的采样数目,通过适当加权后,使探针的针压量能够体现探针卡针尖的整体高度水平。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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